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Vishay新型SUR系列TrenchFET® 功率MOSFET, 具有独特的反向导引TO﷓252封装,可应用于大电流作业、 提高效率并节省空间

该产品所提供的接通电阻范围为4 mΩ 至16 mΩ


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加州圣塔克拉拉——2004年2月XX日——由Vishay Intertechnology, Inc.(纽约证券交易所代码:VSH)控股80.4%的子公司 Siliconix Incorporated (纳斯达克股市代码:SILI)今天宣布推出采用反向导引TO﷓252 DPAK封装的新型TrenchFET® 功率MOSFET系列产品。

凭借反向成型的引线,采取“SUR”封装的TrenchFET能使该产品反向安装于PCB上,即将散热器安装于顶部以产生更好的散热效果。由于功率应用产生的热量能散发到空气中而非PCB上,与采用传统引线的DPAK功率MOSFET相比,此类功率MOSFET具有更小的有效接通电阻值以及更大的电流作业能力。同时,更好的散热效果能消除电路板的热应力,从而提高该产品的整体可靠性。

该SUR功率MOSFET可用于桌面电脑的核心直流变直流转换应用,使VRM模块与PC主板实现“超绿色”的设计。应用该SUR功率MOSFET后,VRM模块与PC主板可更有效地利用功率,而进一步减少所需的元件。

20伏SUR70N02-04P 和30伏SUR50N03-06P, SUR50N03-09P, SUR50N03-12P, 和 SUR50N03-16P 功率MOSFET系列产品的接通电阻值范围为4 mΩ 至16 mΩ,可用于直流变直流转换器的同步及控制FET。

SUR TrenchFET功率MOSFET系列产品一览表

器件型号 rDS(on) (Ω 在10 V下) Qg (nC 在 4.5 V下) rDS(on) x Qg QGS (nC) QGD (nC)
SUR70N02-04P 0.0037 34 125.8 11 10
SUR50N03-06P 0.0065 21 136.5 10 7.5
SUR50N03-09P 0.0095 11 104.5 7.5 5.0
SUR50N03-12P 0.012 13 156.0 6.0 5.0
SUR50N03-16P 0.016 8.5 136.0 5.0 2.5班

Siliconix可提供SUR系列反向导引TrenchFET功率MOSFET样品及批量生产。大批量订单的交货期仅需10至12周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器和电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购,以及“一站式”服务,Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 http://www.vishay.com.

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TrenchFET 是 Siliconix incorporated 公司的注册商标.

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