Vishay lance les premiers MOSFET de puissance a combiner des technologies WFET™ et TrenchFET® de seconde génération pour des valeurs exceptionnellement basses de Qgd de 6,5 nC et rDS(on) de 3,6 mΩ

SANTA CLARA, CALIFORNIE — 10 mai 2004 — Siliconix, une filiale à 80,4 % de Vishay Intertechnology, a annoncé aujourd'hui la sortie des deux premiers MOSFET de puissance à combiner les valeurs extrêmement faibles de Q_gd permises par une technologie WFET™ avec les très faibles valeurs de r_DS(on) de la technologie TrenchFET® de seconde génération.

Les deux MOSFET de puissance annoncés aujourd'hui sont conçus pour un fonctionnement au niveau bas dans des convertisseurs continu-continu abaisseurs ( configurations mono et multi phases) pour les PC bloc notes, les serveurs et les modules régulateurs de tension, ainsi que pour le redressement synchrone dans les systèmes de télécommunications fixes.

Les nouveaux Si4368DY (PowerPAK® SO-8) et Si7668DP (SO-8) présentent une résistance à l'état conducteur de 3,6 mΩ (à 4,5 V max.) et une faible valeur r_DS(on)-fois-Q_gd de 23 mΩnC, soit des améliorations respectives de 25 % et 54 %, par rapport aux spécifications de transistors MOSFET concurrents. Les deux produits présentent un rapport Q_gd/Q_gs exceptionnellement faible de 0,37 – également 54 % meilleur que les composants concurrents – pour garantir une immunité "traversante" et pour permettre de conserver Q_g sous contrôle pour réduire les pertes de commutation et obtenir un convertisseur continu-continu de meilleur rendement. La tension maximum de seuil de porte pour les Si4368DY et and Si7668DP est de 1,8 V. Encapsulé en boîtier à dissipation thermique améliorée PowerPAK SO 8, le Si7668DP présente aussi une résistance thermique plus faible et une plus grande dissipation de puissance.

La technologie innovatrice WFET de Vishay utilise un oxyde de porte plus épais à la partie inférieure du sillon de silicium de ces transistors pour réduire C_rss et Q_gd avec un impact minimal sur la pefomrance de r_DS(on), augmentant le rendement des convertisseurs continu-continu. Avec la sortie de ces nouveaux composants, les concepteurs peuvent construire un convertisseur continu-continu tout WFET utilisant les Si4368DY ou Si7668DP sur le niveau bas et les Si4390DY ou Si7390DP précédemment annoncés sur le niveau haut. Les faibles pertes de conduction et de commutation des MOSFET de puissance WFET se traduisent directement par une amélioration de 2 % dans le rendement d'un convertisseur de puissance par rapport à des solutions concurrentes dans des applications typiques.

En appliquant une technologie WFET à son plus récent silicium de haute densité dans les Si4368DY et Si7668DP, Vishay atteint une densité de transistors de 46,5 millions de cellules par centimètre carré et une faible résistance spécifique à l'état conducteur de 12 mΩ/mm² sans compromettre la performance de commutation. De ce fait, ces nouveaux transistors permettent la conception de produits plus rapides, plus légers, plus petites, qui chauffent moins, de meilleur rendement et de plus grande longévité avec des caractéristiques plus robustes.

Tous les MOSFET de puissance WFET sont testés à 100 % pour la résistance R_g pour garantir que ces composants fonctionnent comme spécifié dans les applications de convertisseurs continu-continu haute fréquence.

Les échantillons et la production de masse des nouveaux MOSFET de puissance WFET TrenchFET de seconde génération sont actuellement disponibles, avec des délais de 10 à 12 semaines pour les commandes plus importantes.

Vishay Intertechnology, qui figure dans le classement des 1000 premières sociétés américaines du magazine Fortune cotées à la Bourse de New York, est l'un des plus grands fabricants du monde de semi-conducteurs discrets (diodes, redresseurs, transistors, optoélectronique et circuits intégrés divers) et de composants électroniques passifs (résistances, condensateurs, inductances, capteurs et transducteurs). Ces composants sont utilisés dans virtuellement tous les types d'appareils et équipements électroniques, dans les marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, du grand public, des télécommunications, militaires, aérospatiaux, et médicaux. Ses produits innovateurs, sa stratégie d'acquisitions réussies et son aptitude à fournir un service d'achat "tout chez le même fournisseur" ont fait de Vishay un leader mondial de l'industrie. Vishay peut être trouvé sur Internet à http://www.vishay.com.