ビシェイ社はWFET™ および TrenchFET® Gen II技術を組み合わせ、並外れて低い6.5 nC Q gd gd および 3.6 mΩ のr DS(on)バリューを提供する初のPower MOSFETを立ち上げた。

カリフォルニア州サンタクララ – 2004年5月10日 – ビシェイ・インターテクノロジー社 (NYSE: VSH) が80.4%出資している子会社のシリコニックス社(NASDAQ: SILI)は本日、WFET™ 技術による超低Q_gdバリューとTrenchFET® Gen II技術による超低 r_DS(on)バリューを組み合わせた初のPower MOSFETを2つ発売すると発表した。

本日発売された2つのPower MOSFETはノートブックパソコンやサーバ、VRMモジュールの同期バック（単一および複数フェーズの設定）DC -DC 変圧器、さらに固定テレコンシステムの同期整流器における低サイドの操作向きに設計されている。

新規Si4368DY (PowerPAK® SO-8) およびSi7668DPは、競合MOSFETデバイスの仕様と比較してそれぞれ25%、54%の向上となる3.6 mΩ (最高4.5V で) の抵抗および低度の r_DS(on)ｘQ_gdバリュー23 mΩnCを特徴としている。 両デバイスとも競合デバイスより54%優れた超低度の0.37Q_gd/Q_gs 率を提供し、「ショットスルー」免疫性を高め、スイッチングロスを軽減し、DC-DC 変圧器がより効率的に機能するようにQ_gを抑制する役に立つ。Si4368DYおよびSi7668DP最高ゲート閾値電圧は1.8V である。Si7668DPは熱強化PowerPAK SO-8パッケージで包装されており、耐熱性が低く、ワット損が大きい。

ビシェイ社の革新的WFETテクノロジーでは、デバイスのシリコントレンチの底に厚めのゲート酸化物を使用しており、C_rssおよび Q_gdを軽減して、r_DS(on) の機能にほとんど影響することなく、DC-DC 変圧器の効率を高めている。同新規デバイスの発売により、デザイナーは低サイドには Si4368DYまたはSi7668DPを使用して、すべてWFET技術による DC-DC 変圧器を構築できるようになる。WFET power MOSFETの伝導およびスイッチングロスが低いことは、従来のアプリケーションにおけるソリューションと比較して、 DC-DC 変圧器の効率が2%向上することに直結する。

Si4368DYおよびSi7668DPにおいて高密度シリコンに最新のWFETテクノロジーを応用することにより、ビシェイ社は1平方インチに3億個のセルのトランジスタ密度とスイッチングの機能を損なうことなく12 mΩ/mm²低オン抵抗を達成した。結果として、デザイナーは新規デバイスによって、より高速で軽量、小型、低温、高効率、長寿命、かつ強力な機能のある製品を設計することができる。

高周波DC-DC アプリケーションで指定通りデバイスが機能するように、WFET power MOSFETはすべて100% R_gテストされている。

WFET TrenchFET Gen II power MOSFETのサンプルと量産出荷はすでに可能で、大口注文のリードタイムは10~12週間となっている。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。