비쉐이, 저 6.5nC Qgd 및 3.6 mΩ rDS(on) 값을 위한 업계 최초의 파워 MOSFET 개발: 파워 MOSFET에 WFET 및 TrenchFET® Gen II 기술 결합

2004년 5월 10일 캘리포니아 산타클라라 - 비쉐이 인터테크놀로지의 자회사인 실리코닉스가 파워 MOSFET 2종을 새롭게 선보인다고 밝혔다. 이들 제품은 WFET® 기술과 TrenchFET® Gen II 기술을 적용해 각각 낮은 Q_gd 및 r_DS(on) 값을 달성할 수 있다.

이번에 개발된 파워 MOSFET 신제품은 노트북, 서버 및 VRM 모듈에 사용되는 싱크로너스 벅(싱글 및 멀티페이스 구성) DC/DC 컨버터에서의 로우사이드 동작을 비롯해 유선 통신 시스템의 싱크로너스 정류 기능을 위해 특별히 고안되었다.

새로운 Si4368DY(PowerPAK® SO-8)와 Si7668DP(SO-8)는 경쟁 디바이스에 비해 25% 향상된 3.6mΩ(최대 4.5V일 경우)의 온저항과 54% 향상된 23 mΩnC의 낮은 r_DS(on)-times-Q_gd값이 특징이다. 두 디바이스 모두 Q _gd/Q_gs 비율이 0.37로 매우 낮으며 이는 타제품에 비해 54% 향상된 수준이다. 따라서 이를 통해 ‘슛스루(shoot-thru)’ 내성이 뛰어나며, Q_g 를 제지해 스위칭 손실을 줄이고 더욱 효율적인 DC/DC 컨버터 성능을 제공할 수 있다. Si4368DY 및 Si7668DP 는 PowerPAK SO-8 패키지로 공급되며, Si7668DP는 또한 열저항이 낮고 전력 분산 능력은 더욱 향상된 것이 특징이다.

비쉐이의 혁신적인 WFET 기술은 디바이스의 실리콘 트렌치 밑부분에 한층 더 두꺼워진 게이트 옥사이드(gate oxide)를 사용해 r _DS(on) 성능에는 거의 영향을 미치지 않고 DC/DC 컨버터의 효율성을 높임과 동시에 C_rss와 Q_gd를 감소시킬 수 있다. 설계자들은Si4368DY 또는Si7668DP를 로우사이드에 이용하거나 하이 사이드에 기존에 발표한 Si4390DY 또는 Si7390DP를 사용함으로써 모든 WFET DC/DC 컨버터를 설계할 수 있다. WFET 파워 MOSFET은 전도 및 스위칭 손실이 적어서 일반 애플리케이션에서 경쟁 솔루션과 비교해 볼 때 DC/DC 컨버터의 효율을 약 2% 정도 향상시킬 수 있다.

이번에 개발된 Si4368DY와Si7668DP는 최신 고집적 실리콘에 WFET 기술을 적용함으로써 평방 인치당 약 3억개 셀에 달하는 트랜지스터 집적도를 달성하게 되었을 뿐만 아니라 스위칭 성능에는 영향을 미치지 않고도 12mΩ/mm²의 낮은 온저항을 제공할 수 있다. 따라서 이들 신제품을 이용해 강력한 기능이 포함된 더욱 빠르고, 가볍고, 작고, 효율적이고, 수명이 길며, 열문제가 향상된 제품을 설계할 수 있다.

모든 WFET 파워 MOSFET은 100% R_g 테스트를 거쳤기 때문에 고주파 DC/DC 애플리케이션에 맞는 기능을 충분히 수행할 수 있다.

현재 WFET TrenchFET Gen II 파워 MOSFET 제품의 샘플 및 양산용 제품을 구입할 수 있으며, 대량 주문 시 약 10 - 12주의 리드타임이 소요된다.

포춘지 선정 1000대 기업에 속하며, 나스닥 시장에서 VSH로 거래되고 있는 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)는 업계 최대 규모의 디스크리트 반도체(다이오드, 정류기, 트랜지스터, 광전자, 선택형 IC) 및 수동 전자 부품(레지스터, 커패시터, 인덕터, 센서, 트랜스듀서) 전문 개발업체이다. 이들 부품은 실질적으로 산업, 컴퓨팅, 자동차, 컨수머, 텔레콤, 군사, 항공 및 의료 분야에서 모든 전자 디바이스 및 기기에 사용되고 있다. 비쉐이가 전세계 산업을 이끄는 선도적인 업체가 될 수 있었던 것은 제품의 혁신과 성공적인 인수 전략 및 ‘원스톱 샵’ 서비스를 제공하고자 하는 기업 이념이 뒷받침 되었기 때문이다. 회사에 관한 자세한 정보는 웹사이트를 참조하시기 바랍니다. www.vishay.com