Vishay 推出结合 WFET™ 与 TrenchFET® Gen II技术的首款功率 MOSFET，其具有超低的 6.5 nC Q gd和 3.6 mΩ rDS(on)值

加州，SANTA CLARA － 2004 年 5 月 10 日 － 日前，拥有 80.4% 股份的 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）子公司 Siliconix incorporated（NASDAQ 股市代号：SILI）宣布推出首次将通过 WFET™ 技术实现的超低 Q_gd值与 TrenchFET® Gen II技术的极低 r_DS(on)值结合于一身的两款功率 MOSFET。

日前宣布推出的这两款功率 MOSFET 旨在实现笔记本电脑、服务器及 VRM 模块内同步降压（单相与多相配置）直流到直流转换器中，以及固定电信系统内同步整流中的低端运行。

新型 Si4368DY (PowerPAK® SO-8) 和 Si7668DP (SO-8) 均具有 3.6 mΩ（电压最高为 4.5V 时）的导通电阻以及 23 mΩnC 的 r_DS(on)乘Q_gd值，这两个数值分别比同类 MOSFET 器件的规范高出 25% 和 54%。两种器件均具有 0.37 的超低 Q_gd/Q_gs比——优胜于同类器件 54%，可确保实现较高的抗“穿透”性，并有助于控制 Q_g值，以实现更低的转换损失和更高效的直流到直流转换性能。 Si4368DY与 Si7668DP的最大栅极阈值电压为 1.8 V。采用防热增强型 PowerPAK SO-8 封装的 Si7668DP还具有更低的热阻及更好的散热。

Vishay 创新的 WFET 技术在这两种器件的硅沟道底部使用较厚的栅极氧化层，以减少 C_rss 值和 Q_gd 值，并将对 r_DS(on)性能的影响降至最低，从而提高直流到直流转换器的效率。 随着这两种新器件的推出，设计人员现在能够在低端上使用 Si4368DY或 Si7668DP，以及在高端上使用先前推出的 Si4390DY 或 Si7390DP 来构建所有 WFET 直流到直流转换器。WFET 功率 MOSFET 的低传导与转换损失直接使直流到直流转换器的效率比一般应用中的同类解决方案高 2%。

通过将 WFET 技术应用到 Si4368DY与 Si7668DP 中最新的高密度硅片中，Vishay 实现了每平方英寸 3 亿个晶体管的密度，以及 12 mΩ/mm²的低特定导通电阻值，而转换性能毫不逊色。因此，这两种新器件实现了具有多种更强大功能，且是更快、更轻、更小、冷却性能更高、运行时间更长的更高效产品设计。

所有 WFET 功率 MOSFET 均经过了 100% R_g- 测试，可确保器件能够按照高频直流到直流应用中的规范运行。

目前，采用 WFET TrenchFET Gen II技术的新型功率 MOSFET 的样品与量产批量均已上市，大宗订单的供货周期为 10-12 周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在 NYSE (VSH) 上市的“财富 1,000 强企业”，是世界上分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电子产品及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一。这些元件几乎用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。其产品创新、成功的收购战略以及提供“一站式”服务的能力已使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，可以访问 Internet 网站 http://www.vishay.com。