ビシェイシリコニクス社のハーフブリッジNチャネルMOSFETドライバ、最大50Vまでのシステムでドライブ能力1A、インピーダンス1Ω以下

カリフォルニア州サンタクララ、2005年1月31日：ビシェイ・インターテクノロジー社（NYSE: VSH）がその80.4%を所有するシリコニクス社（NASDAQ: SILI)は本日、新タイプの高速、ハーフブリッジタイプのNチャネルMOSFETドライバICを発表した。このドライバICは高周波数、大電流、単相/多相の各種DC/DCスイッチング電源に使用できるよう設計されている。またこのうち1種類のドライバはブラシレスモーター制御用のブレーキ機能付き。

新タイプSiP41103、SiP41104、SiP41105の各デュアルMOSFETドライバはハーフブリッジ構成のMOSFET上段と下段を共に駆動し、供給電圧4.5V～50 Vのシステムで使用可能。これら3種類のデバイスの出力供給電流は最大1A、スイッチング周波数は250kHz～1MHz、ドライバインピーダンスは1Ω以下で、コンデンサやインダクタのサイズを小さく設計することができる。新タイプSiP42101はモータードライブ用途に適したブレーキ機能を有し50kHzで動作する。

このファミリーではブレークビフォアメーク論理を採用することにより、外部のMOSFETに対してだけでなく上側NチャネルMOSFETを駆動する内蔵ブートストラップダイオードに対してもその貫通電流（シュートスルー電流）を防止する。またこのブートストラップダイオードを内蔵したことで外付け部品の削減に役立っている。ドライバを動作させるにはシャットダウン/制御ピンを使うが、SiP41103とSiP41105には同期イネーブルピンも追加されており、この信号で下側の「同期整流用」MOSFETを遮断して軽出力負荷時の効率を最大化することが可能。

供給電圧（V_DD）が規定値より低いときにMOSFETのゲート駆動を禁止する「過小電圧ロックアウト」機能の設定により、出力MOSFETは十分なゲート電圧が与えられた時のみONになる。このデバイスはシャットダウン時の静止電流が5µA未満である。

4種類の新タイプMOSFETドライバは標準パッケージ、鉛フリーパッケージのいずれでも供給可能。SiP42101とSiP41103はMLP33-10パッケージ、SiP41104はSO-8パッケージ、SiP41105はTSSOP-16 PowerPAKパッケージで供給される。新デバイスはいずれも産業用デバイスに要求される全温度範囲–40°C～+85 °Cでの定格動作が可能で、同期タイプ大電流バック（ステップダウン）コンバータ、多相DC/DCコンバータ、非同期から同期への適応化、コンピュータのDC/DCコンバータなどの用途に使用可能。SiP42101は1AのMOSFETを内蔵したポピュラーな製品、Si9986に代表される従来のシリコニクスモータードライバファミリーに追加されるもの。

SiP42101、SiP41103、SiP41104、SiP41105のサンプルおよび製品は現在入手可能で、量産出荷のリードタイムは8～10週間となっている。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。