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보도자료 문의: e-mail andrew.post@vishay.com 제품판매 문의: http://www.vishay.com/power-ics/bus-termination/sales 비쉐이 실리코닉스, 하프브리지 N채널 MOSFET 드라이버 출시 : 최고 50V 시스템 및 1Ω 미만의 임피던스 조건에서 1A 구동2005년 1월 31일 캘리포니아 산타클라라 — 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)의 자회사인 실리코닉스(Siliconix Incorporated)가 고속 하프브리지(half-bridge) n 채널 MOSFET 드라이버 IC 4종을 선보인다고 밝혔다. 이들 제품은 브러시리스(brushless) 모터 제어 애플리케이션을 위한 브레이크 기능의 드라이버를 포함해 고주파 고전류 싱글/멀티페이스(phase) DC/DC 스위칭 파워 서플라이에 사용될 수 있다. 새로운SiP41103, SiP41104 및 SiP41105 듀얼 MOSFET 드라이버는 하프브리지 구성에서 상/하부 MOSFET 모두를 구동할 수 있으며, 4.5V ~ 50V의 공급 전압으로부터 동작한다. 최고 1A의 출력 전류를 공급할 수 있도록 설계된 이들 드라이버 3종은 250kHz ~ 1MHz의 스위칭 주파수에서 동작하고, 드라이버 임피던스는 1Ω 미만으로 커패시터와 인덕터 크기를 감소시킨다. 또 다른 SiP42101은 모터 드라이브 애플리케이션을 위해 브레이크 기능이 탑재된 것으로 50kHz에서 동작한다. 이들 제품은 break-before-make 로직 기능을 제공, 외부 MOSFET은 물론 외부 부품 수를 줄일 수 있도록 n채널 하이사이드 MOSFET을 구동하는 내부 부트스트랩 다이오드에서 슛쓰루(shoot-through) 전류를 방지할 수 있다. 드라이버를 이네이블 하기 위해 셧다운/제어 핀이 이용된다. SiP41103 및SiP41105의 경우에는 추가적으로 싱크로너스 이네이블 핀이 제공되어 로우사이드 또는 싱크로너스 정류 MOSFET을 디세이블함으로써 낮은 파워 로드에서 효율성을 극대화 할 수 있도록 했다. 저전압(undervoltage) 로크아웃 기능은 공급 전압이(VDD에서) 스펙 기준 이하로 떨어지면 MOSFET 게이트가 작동하지 못하도록 하고, 충분한 게이트 전압이 있을 때에만 출력 MOSFET이 켜질 수 있도록 한다. 이들 디바이스의 셧다운 대기 전류는 5µA이다. MOSFET 드라이버 4종 모두 표준 및 무연 패키지로 제공된다. SiP42101 및 SiP41103은 MLP33-10 패키지 형태인 반면,SiP41104는 SO-8 패키지, SiP41105는 TSSOP-16 PowerPAK 패키지로 제공된다. –40°C ~ +85°C의 온도 범위에서 사용할 수 있으며, 고전류 싱크로너스 벅(스텝다운) 컨버터, 멀티페이스 DC/DC 컨버터, 어싱크로너스-싱크로너스 조정, 컴퓨터 DC/DC 컨버터 등에 활용될 수 있다. SiP42101은 1-A MOSFET을 통합한 Si9986 제품을 비롯해 실리코닉스 기존의 모터 드라이버 제품군에 포함된다. 현재 SiP42101, SiP41103, SiP41104 및SiP41105의 샘플 및 양산용 제품을 구입할 수 있다. 대량 주문 시 약 8 ~ 10주의 리드타임이 소요된다. 포춘지 선정 1000대 기업에 속하며, 나스닥 시장에서 VSH로 거래되고 있는 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)는 업계 최대 규모의 디스크리트 반도체(다이오드, 정류기, 트랜지스터, 광전자, 선택형 IC) 및 수동 전자 부품(레지스터, 커패시터, 인덕터, 센서, 트랜스듀서) 전문 개발업체이다. 이들 부품은 실질적으로 산업, 컴퓨팅, 자동차, 컨수머, 텔레콤, 군사, 항공 및 의료 분야에서 모든 전자 디바이스 및 기기에 사용되고 있다. 비쉐이가 전세계 산업을 이끄는 선도적인 업체가 될 수 있었던 것은 제품의 혁신과 성공적인 인수 전략 및 ‘원스톱 샵’ 서비스를 제공하고자 하는 기업 이념이 뒷받침 되었기 때문이다. 회사에 관한 자세한 정보는 웹사이트를 참조하시기 바랍니다. www.vishay.com ###
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