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Neue 40-V- und 60-V-MOSFETs von Vishay Siliconix kombinieren erstmals eine hohe Schwellenspannung von 3,4 V mit einem On-Widerstand von nur 2,7 mOhm – ideale Lösung für Hochtemperatur-Anwendungen in Automobilen


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Santa Clara, California (USA) — 20. April 2005 — Siliconix Incorporated (NASDAQ: SILI), eine 80,4%-prozentige Tochter der Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert die weltweit ersten n-Kanal-MOSFETs, die zugleich eine hohe Schwellenspannung von 3,4 V und einen On-Widerstand von nur 2,7 Milliohm bieten.

Die zehn neuen MOSFETs, die in 40-V- und 60-V-Versionen angeboten werden, sind vorgesehen für Hochtemperatur-/Hochstrom-Anwendungen mit induktiven Lasten in Automobilen, in der Industrie und in Telekom-Festnetzen; sie eignen sich beispielsweise als High-Side-Schalter, Motortreiber oder für 12-V-Bordnetze.

Wenn MOSFETs bei hohen Temperaturen und hohen Strömen betrieben werden, besteht die Gefahr, dass sie spontan durchschalten, wenn die Schwellenspannung temperaturbedingt absinkt und sich dem Wert 0 V nähert. Bisher bedeutete das für Entwickler ein Dilemma. Entweder mussten sie einen Treiber vorsehen, der eine negative Vorspannung liefert; ein solcher Treiber beansprucht jedoch zusätzlichen Platz, verursacht zusätzliche Kosten und macht die Schaltung komplizierter. Oder sie mussten einen MOSFET mit höherer Schwellenspannung einsetzen und dafür einen höheren On-Widerstand in Kauf nehmen.

Die neue Leistungs-MOSFET-Familie von Vishay Siliconix weist einen Weg aus diesem Dilemma. Die High-Density-Silizium-Technologie, auf der diese Bauteile basieren, ermöglicht auch bei hohen Schwellenspannungen einen niedrigen On-Widerstand. Dadurch wird das Problem des spontanen Durchschaltens in Hochtemperatur-/ Hochstrom-Anwendungen (Automobil, Industrie usw.) vermieden.

Bauteilbezeichnung Gehäuse Sperrspannung (V) On-Widerstand bei 10 V Gate-Spannung (mOhm) Max. Sperrschichttemperatur (°C)
SUM110N04-2m7H D2PAK (TO-263) 40 2.7 175
SUM110N04-05H D2PAK (TO-263) 40 5.3 175
SUD50N04-06H DPAK (TO-252) 40 6.0 175
SUD50N04-09H DPAK (TO-252) 40 9.0 175
Si7444DP PowerPAK SO-8 40 6.1 150
Si7962DP PowerPAK SO-8 40 17.0 150
SUM110N06-3m9H D2PAK (TO-263) 60 3.9 175
SUD50N06-08H DPAK (TO-252) 60 7.8 175
Si7452DP PowerPAK SO-8 60 8.3 150
Si7964DP PowerPAK SO-8 60 23.0 150

Die neuen MOSFETs sind ab sofort im DPAK-, D2PAK- und PowerPAK® SO-8-Gehäuse verfügbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt 10 bis 12 Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, MOSFETs und Infrarot-Optoelektronik-Bauteile) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Bauelemente von Vishay werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Consumer-Produkte, Telekommunikation, Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik, Stromversorgungen und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Dadurch wurde Vishay zu einem der weltweit führenden Unternehmen der Branche. Im Internet finden Sie Vishay unter http://www.vishay.com.

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