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Company Info:Press Room:2005 Releases:ビシェイ・シリコニックス社の新40 Vと60V MOSFET
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ビシェイ・シリコニックス社の新40 Vと60V MOSFET 業界初3.4V高スレショルド電圧と2.7MΩ低オン抵抗を高温環境下自動車部品用途で実現

[カリフォルニア州サンタクララ発]2005年4月20日—ビシェイ・インターテクノロジー社(NYSE: VSH)が80.4%を所有する子会社であるシリコニックス社(NASDAQ:SILI)は本日、業界初の3.4Vという高スレショルド電圧と2.7MΩという低オン抵抗を併せ持つ新型NチャネルMOSFETを発売すると発表した。

10機種の新MOSFETには40Vタイプと60 Vがあり、ハイサイドスイッチ、モータードライブ、12Vボードネットなど、自動車、産業、固定通信産業における誘導負荷下の高温、高電流での使用に適している。

MOSFETを高温、高電流環境で作動させた場合、スレショルド電圧が熱の影響を受けて0Vに近づき、MOSFETが自発的にターンオンする可能性がある。この問題がこれまで設計者達にジレンマをもたらしてきた。これに対して、回路に負電圧分配器を付加することは1つの解決方法であるが、引き換えに回路サイズ、費用、複雑さが増すことになる。高スレショルド電圧のデバイスを使用することも考えられるが、この場合はオン抵抗が増加してしまう。

今回発表の新しいパワーMOSFETシリーズはこのジレンマを、同一のデバイスで自動車、産業その他、高温・高電流を伴う利用における自発的なターンオンという問題を回避できる高スレショルド電圧と低オン抵抗の両方を実現可能にする高密度シリコン技術によって解決した。

デバイス番号 パッケージ 絶縁破壊電圧 (V) 10Vゲートドライブにおけるオン抵抗(mΩ) 最大ジャンクション温度 (°C)
SUM110N04-2m7H D2PAK (TO-263) 40 2.7 175
SUM110N04-05H D2PAK (TO-263) 40 5.3 175
SUD50N04-06H DPAK (TO-252) 40 6.0 175
SUD50N04-09H DPAK (TO-252) 40 9.0 175
Si7444DP PowerPAK SO-8 40 6.1 150
Si7962DP PowerPAK SO-8 40 17.0 150
SUM110N06-3m9H D2PAK (TO-263) 60 3.9 175
SUD50N06-08H DPAK (TO-252) 60 7.8 175
Si7452DP PowerPAK SO-8 60 8.3 150
Si7964DP PowerPAK SO-8 60 23.0 150

DPAK、D2PAK、PowerPAK® SO-8パッケージが用意されており、新MOSFETのサンプルと大口発注に対しては、現在10~12週のリードタイムで対応可能である。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等)および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。

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