加州，Santa Clara（美国–2005年4月20日 – 日前，拥有 80.4% 股份的 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代码：VSH）子公司 Siliconix incorporated（NASDAQ 股市代号: SILI）宣布推出将 3.4V 高阈值电压与 2.7 毫欧低导通电阻相结合的业界首款 n 通道 MOSFET。

具有 40V 和 60V 版本的这 10 款新型 MOSFET 主要用于汽车、工业及固定电信行业中具有电感负载的高温、高电流应用，例如高端开关、电机驱动及 12V 板网。

当 MOSFET 在高温、高电流环境中运行时，如果受热影响的阈值电压开始接近 0V，则它们会同时打开。直到现在，这对设计者来说仍是一个进退维谷的境地。一种解决方案是向电路中添加负电压驱动器，但缺点是增加了电路的尺寸、成本及复杂性。另一解决方案是使用具有高阈值电压的器件，但在这种情况下，其影响是极大增加了导通电阻。

这一新的 MOSFET 系列利用高密度硅技术提供了可摆脱这种境地的方法，该技术可使相同器件既提供低导通电阻又提供高阈值电压，从而避免了在汽车、工业以及涉及高温和高输出电流的其它应用中出现的同时打开的问题。

器件编号	封装	击穿电压 (V)	10V 栅极驱动时的导通电阻 (mΩ)	最大结温 (°C)
SUM110N04-2m7H	D2PAK (TO-263)	40	2.7	175
SUM110N04-05H	D2PAK (TO-263)	40	5.3	175
SUD50N04-06H	DPAK (TO-252)	40	6.0	175
SUD50N04-09H	DPAK (TO-252)	40	9.0	175
Si7444DP	PowerPAK SO-8	40	6.1	150
Si7962DP	PowerPAK SO-8	40	17.0	150
SUM110N06-3m9H	D2PAK (TO-263)	60	3.9	175
SUD50N06-08H	DPAK (TO-252)	60	7.8	175
Si7452DP	PowerPAK SO-8	60	8.3	150
Si7964DP	PowerPAK SO-8	60	23.0	150

这些新型MOSFET 采用 DPAK、D2PAK 及 PowerPAK® SO-8 封装，它们的样品及量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为 10～12 周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器和电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购，以及“一站式”服务，Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 http://www.vishay.com.

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