ビシェイ・シリコニクスの新150V/200V PチャネルパワーMOSFET、アクティブクランプ構成で省スペース化が可能

SC 70/SOT 23パッケージでオン抵抗は最小1.2Ω

カリフォルニア州サンタクララ、2005年5月4日：ビシェイ・インターテクノロジー社（NYSE: VSH）がその80.4%を所有するシリコニクス社（NASDAQ: SILI)は本日、アクティブクランプ構成で省スペースが図れる150V/200V PチャネルパワーMOSFETの新シリーズを発表した。

アクティブクランプ用にはPチャネルMOSFETの方がNチャネルMOSFETよりもシンプルな実装が可能だが、これに適したデバイスは今日までその大多数がSO-8やDPAKなど大型パッケージでのみ供給されてきた。シリコニクスがSOT-23/SC-70の各パッケージで供給する新デバイスは小型化されただけでなくこれに最も近い競合デバイスよりもオン抵抗が80％以上改善されている。

シリコニクスの最新PチャネルTrenchFET® 技術によるこの新PチャネルパワーMOSFETは小型化により基板上の必要なスペースを削減し、性能を犠牲にすることなく製品全体の小型化設計に貢献する。PチャネルFET用のドライブ回路はNチャネルFET用より単純であるため、この新デバイスを採用すれば小/中規模のパワーコンバータ用に小型化、低コスト化したアクティブクランプ回路の設計が可能となる。

本日発表されたパワーMOSFETは通信機器やデータ通信機器、産業用の製品に使われるDC/DCコンバータの一次側アクティブクランプ回路用である。オン抵抗値の範囲は1.2Ω～2.35Ωで、このサイズ（取付面積）のパワーMOSFETでは業界で最高性能のオン抵抗を誇る。

これらSC-70およびSOT-23のデバイスに加え、シリコニクスでは同じ用途向けにSO-8パッケージのPowerPAK デバイスも発表した。150VのSi7439DPはオン抵抗が0.09mΩ、200VのSi7431DPは同じく 0.174 mΩの定格となっている。

新デバイスのサンプルおよび製品は現在入手可能で、量産出荷のリードタイムは12週間となっている。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。