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Company Info:Press Room:2005 Releases:ビシェイ・シリコニクスの新Pチャネル負荷スイッチ
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ビシェイ・シリコニクスの新タイプPチャネル負荷スイッチ、業界初、1.5V定格で低ON抵抗の設計

1.5V定格で45mΩのON抵抗を実現

ペンシルバニア州マルバーン市、2005年6月15日: ビシェイ・インターテクノロジー社(NYSE: VSH)は本日、新タイプのPチャネル負荷スイッチ5種を発表した。このスイッチは業界初の、ゲートドライブ電圧1.5Vで低ON抵抗が得られるように設計されたデバイス。

消費電力の最小化とバッテリー駆動時間の延長をめざし、ポータブル電子機器用ASICデバイスの多くは1.5V~1.65 Vのコア供給電圧範囲で動作するよう設計されている。しかし今日に至るまで1.8 V未満でのターンオン動作を保証するパワーMOSFETは存在せず、そのため複雑で消費電力を高くするレベルシフト回路を使用しない限りこの低いコア供給電圧の恩恵を受けることはできなかった。

ビシェイはこの問題に取り組み、本日発表したパワーMOSFETでこの難問を解決した。このデバイスは業界初、1.5Vのコア供給電圧で直接動作可能なだけでなく45mΩという低ON 抵抗を実現している。低スレッショルド電圧で動作しゲートドライブ電圧1.5Vを保証するこの新デバイスを使うことでレベルシフト回路が不要になり、バッテリー駆動による低電圧動作で最大限の節電効果が得られる。

本日発表された5種のパワーMOSFETにはLITTLE FOOT TSOP-6パッケージ、ドレインソース間ブレークダウン電圧が-20V(Si3495DV)と-8V(Si3499DV)の2種のデバイスが含まれる。ゲートドライブ電圧1.5V時の定格ON抵抗はそれぞれ47 mΩと45mΩである。

同時に発表された他の3種のデバイス、-8VのSi8419DBSi5499DCSi1499DHはそれぞれMICRO FOOT®、1206 8 ChipFET®、SC-70の各パッケージで供給される。新LITTLE FOOTデバイスと同様、これらデバイスも定格1.5Vのゲートドライブ電圧で動作する。超小型化のパッケージデザインで取り付け面積も大幅に縮小され、最終製品設計の自由度が向上した。

部品番号 VDS (V) VGS (V) rDS(on) @ 4.5 V (milliohms) rDS(on) @ 2.5 V (milliohms) rDS(on) @ 1.8 V (milliohms) rDS(on) @ 1.5 V (milliohms) パッケージ
Si3499DV -8 5 23 29 36 45 LITTLE FOOT TSOP-6
Si3495DV -20 5 24 30 38 47 LITTLE FOOT TSOP-6
Si8419DB -8 5 35 42 52 69 MICRO FOOT
Si5499DC -8 5 36 45 56 77 1206 8 ChipFET
Si1499DH -8 5 78 95 115 153 SC-70

新Pチャネル負荷スイッチのサンプルおよび製品は現在入手可能で、量産出荷のリードタイムは12週間となっている。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等)および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。

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LITTLE FOOT、MICRO FOOT、ChipFETはシリコニクス社の登録商標である。

 
Load Switches
 

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