Searching . . .
About VishayAwardsBrandsCareersContactsEthicsInvestor RelationsProduct NewsTerms and ConditionsTrade Shows

< Back  

For more information:
Media contact -  Bob Decker, Wall Street Communications
Phone:  1.415.409.0233 
Fax:  1.650.618.1512 
E-mail:  bob.decker@wallstcom.com

Sales contact: 

Neue Leistungs-MOSFETs von Vishay Siliconix im thermisch optimierten PowerPAK-1212-8-Gehäuse sind nur 3,3 mm x 3,3 mm groß, haben Wärmewiderstände <2ºC/W und bieten On-Widerstände bis hinab zu 3,7 mΩ


For more information:
Media contact -  Bob Decker, Wall Street Communications
Phone:  1.415.409.0233 
Fax:  1.650.618.1512 
E-mail:  bob.decker@wallstcom.com

Sales contact: 

This release in:

Malvern, Pennsylvania (USA) – 30. November 2005. Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert 17 neue Leistungs-MOSFETs im kompakten PowerPAK® 1212-8-Gehäuse, die sich durch extrem kleine On-Widerstände bis hinab zu 3,7 m auszeichnen.

Diese TrenchFET®-Gen-II-Bauteile sind nur 3,3 mm x 3,3 mm x 1 mm groß – das ist nur ein Drittel der Größe des SO-8-Gehäuse – und sparen dadurch eine Mange Platz auf der Leiterplatte. Der Wärmewiderstand von weniger als 2ºC/W ist im Vergleich zu Bauteilen im SO-8-Gehäuse um den Faktor 8 geringer.

Die neuen Leistungs-MOSFETs sind vorgesehen für Synchrongleichrichter-, Synchron-Aufwärtswandler- und Intermediate-Bus-Schalter-Anwendungen in PoL- (Point of Load) Wandlern sowie DC/DC-Wandlern mit hoher Leistungsdichte für Datacom-Systeme. Sie ermöglichen es, die Leiterplatte erheblich zu verkleinern und/oder die Endprodukt-Funktionalität zu erweitern, ohne Kompromisse bei der Leistungsfähigkeit eingehen zu müssen. Durch ihre hervorragenden Daten eignen sich die neuen Leistungs-MOSFETs in vielen Anwendungen als Ersatz für Bauteile im SO-8-Gehäuse.

Die neuen n-Kanal-Einfach-MOSFETs bieten Sperrspannungen von 12 V bis 40 V und On-Widerstände zwischen 3,7 mΩ und 10 mΩ bei 4,5 V Gate-Spannung; die Serie umfasst die TypenSi7104DN(12 V),Si7106DN,Si7108DN,undSi7110DN(20 V),Si7112DNundSi7114DN(30 V) undSi7116DN(40 V).

Die neuen Zweifach-n-Kanal-MOSFETs bieten On-Widerstände bis hinab zu 36 mΩ; die Serie umfasst die TypenSi7212DNund Si7214DN(30 V),Si7222DN(40 V) undSi7220DN(60 V).

Außerdem präsentiert Vishay noch folgende neue Typen im PowerPAK-1212-8-Gehäuse:Si7120DN(60 V),Si7812DN(75 V),Si7818DN(150 V),Si7302DN(220 V),Si7802DN(250 V). Diese Typen bieten On-Widerstände zwischen 135 m und 435 m bei 10 V Gate-Spannung. Der 200-V-TypSi7820DNwurde bereits vor einiger Zeit vorgestellt.

Die neuen Leistungs-MOSFETs im PowerPAK-1212-8-Gehäuse sind ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt zwölf Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, MOSFETs und Infrarot-Optoelektronik-Bauteile) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Bauelemente von Vishay werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Consumer-Produkte, Telekommunikation, Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik, Stromversorgungen und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Dadurch wurde Vishay zu einem der weltweit führenden Unternehmen der Branche. Im Internet finden Sie Vishay unter http://www.vishay.com.

###

TrenchFET und PowerPAK sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.

Contact UsSales, Technical Questions...Contact Us
Buy Now Check Distributor Stock Part Number/Keyword