2005년 11월 30일 펜실베니아 맬번 – 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc. / NYSE: VSH)가 최저 3.7mW의 저온저항(Low on-resistance) 값을 제공할 수 있는 컴팩트 PowerPAK® 1212-8 패키지 형태의 파워 MOSFET 신제품 17종을 개발 및 출시한다고 오늘 밝혔다.

이들 TrenchFET® Gen II 디바이스는 부피가 기존의 SO-8 패키지보다 1/3 수준인 3.3mm x 3.3mm x 1mm 밖에 되지 않아 공간을 상당히 절약할 수 있다. 뿐만 아니라 열저항도 SO-8 디바이스와 비교해 8배나 향상된 수준인 <2°C/W로 매우 낮은 것이 특징이다.

데이터콤 시스템에 사용되는 POL(Point of Load) 컨버터 및 고집적 DC/DC 컨버터의 싱크로너스 정류, 싱크로너스 벅 및 중간 스위칭 애플리케이션을 위해 고안된 이들 새로운 파워 MOSFET은 보드 공간을 현저히 줄임과 동시에 성능을 저하시키지 않고도 기능을 향상시킬 수 있도록 설계된 것이 특징이다. 전기적 성능이 매우 우수한 이들 파워 MOSFET 신제품은 다양한 애플리케이션에 사용되는 SO-8 디바이스를 대체할 수 있다.

12V ~ 40V의 단일 N채널 디바이스들은 4.5V 게이트 드라이브에서 3.7mW ~ 10mW 범위의 온저항 값이 특징으로, 12V Si7104DN/20V Si7106DN/ Si7108DN/Si7110DN, 30V Si7112DN/Si7114DN, 그리고 40V Si7116DN가 포함된다.

듀얼 N채널 디바이스는 온저항 값이 최저 36mW이고, 여기에는 30V Si7212DN/ Si7214DN, 40V Si7222DN 및 60V Si7220DN가 포함된다.

PowerPAK 1212-8 패키지로 제공되는 신제품은 단일 채널 60V Si7120DN, 75V Si7812DN, 150V Si7818DN, 220V Si7302DN및 250V Si7802DN이다. 이들 디바이스는 10V 게이트 드라이브에서 135mW ~ 435mW의 온저항 값을 제공한다. 200V Si7820DN은 이미 출시되었다.

현재 이들 파워 MOSFET 신제품의 샘플 및 양산용 제품을 PowerPAK 1212-8 패키지 형태로 구입할 수 있으며, 대량 주문 시 약 12주의 리드타임이 소요된다.

포춘지 선정 1000개 기업에 등록되어 나스닥 시장에서 VSH로 거래되는 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)는 업계 최대 규모의 디스크리트 반도체(다이오드, MOSFET, 적외선 광전자) 및 수동 전자 부품(저항, 인덕터 및 커패시터) 전문 계발 업체이다. 이들 부품은 산업, 컴퓨팅, 자동차, 컨수머, 전기 통신, 군사, 항공 우주 산업, 전원 장치 및 의료 분야 등 거의 모든 전자 부품 및 장비에 사용되고 있다. 비쉐이가 전세계 산업을 이끄는 선도적인 업체가 될 수 있었던 것은 제품의 혁신과 성공적인 인수 전략 및 ‘원스톱 샵’ 서비스를 제공하고자 하는 기업 이념이 뒷받침 되었기 때문이다. 비쉐이에 관한 자세한 정보는 웹사이트www.vishay.com 참조.

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TrenchFET 및 PowerPAK은 Siliconix incorporated의 등록상표이다.