ビシェイ・シリコニクスから1.8 AハーフブリッジNチャネルMOSFETドライバICを発売、各種ゲートドライブ電圧、入力電圧範囲に柔軟に対応可能

ペンシルバニア州マルバーン市、2005年12月8日： ビシェイ・インターテクノロジー社（NYSE: VSH）は本日、様々なゲートドライブ電圧に対応し、大電流で動作周波数が高いDC/DC同期整流バック電源用として効率の最適化、部品点数削減、コスト低減を可能にする高速ハーフブリッジMOSFETドライバICを3種類発売した。

この新MOSFETドライバは外付けのNチャネルMOSFETと組み合わせて動作する。ゲートドライブ電圧は8 Vまたは12 V、スイッチング周波数は最高1MHzで、電源コンバータや産業用機器、計算装置など5V～48Vまでのシステムに適用可能。各デバイスの上側ドライバにはブートストラップ用ダイオードが内蔵されており、外付け部品が不要になる。

SiP41109では、上側ドライバ用ゲートドライブ電圧が内蔵の8 V、80 mAレギュレータから供給され、下側ドライバ用には供給電圧が加えられる。SiP41110の場合、上側／下側ともレギュレータから電圧が供給される。このようにゲートドライブ電圧を選択することでその動作周波数におけるMOSFETの伝導損失とスイッチング損失のバランスがとれた最適な動作が可能となる。

ドライバには適応型シュートスルー保護が組み込まれ、外部MOSFETの同時導通が防止されるほか、不足電圧ロックアウト機能により供給電圧が有効な動作電圧に達するまで回路の動作が禁止される。またICチップの温度が165 °Cを超えると異常高温保護回路が動作してドライバ機能が停止する。

更にSiP41108には追加機能として上側ドライバの伝搬遅延時間調整機能、専用シャットダウンピン、特定の動作条件下で効率を改善可能な同期MOSFETディセーブル機能などが含まれている。SiP41108は鉛フリーパッケージ、PowerPAK® TSSOP-16で供給される。

SiP41109／SiP41110はポピュラーなHiP6601／HiP6603とピン配置が同じ鉛フリーパッケージSOIC-8で供給されるが、これらデバイスとの比較では動作電圧が4倍の最大48V、ゲートドライブ電流は2倍以上となっている。そのため、この新デバイスを使えば基板の設計変更なしで使用電圧や電流密度を上げることができる。

SiP41109およびSiP41110にはトライステートPWM入力があり、これを使った出力シャットダウンも可能。PWM信号レベルがトライステート・ウィンドウに入って240ns以上その状態を持続するとシャットダウン・モードとなる。PWMピンをオープンにするとピン電圧は内部の分圧回路で2.5 Vとなり、強制的にトライステート状態となる。

これら3種類のICはいずれも産業用デバイスに要求される全温度範囲-40°C～+85 °Cでの定格動作が可能で、多相DC/DCコンバータ、大電流、高速動作の同期バックコンバータ、非同期から同期への適応化、コンピュータのDC/DCコンバータなどの用途に使用可能。

サンプルおよび製品は現在入手可能で、量産出荷のリードタイムは7週間となっている。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。

PowerPAKはシリコニクス社（Siliconix incorporated）の登録商標である。