ビシェイ・シリコニクスPolarPAK®パワーMOSFET両面冷却でON抵抗が最小1.9mΩ以下、面積5mm x 6mmで動作電流60A

ペンシルバニア州マルバーン市、2005年12月21日： ビシェイ・インターテクノロジー社は本日、革新的なPolarPAK® パッケージの両面冷却で熱抵抗を低く抑え、またパッケージ自体の抵抗とインダクタンスも低減して効率向上と高速化を図ったMOSFET2種の出荷を既に開始したと発表した。

PolarPAKは高速実装システムによる印刷基板へのマウントや取り扱いが容易に行えるよう設計されたパッケージで、特に大量生産に適している。そのためPolarPAK は2005年3月にビシェイ社とSTMicroelectronics社との間で結ばれたライセンス契約を始めとし、複数メーカーへの供給を行う初の両面冷却MOSFETパッケージとして既にその優位性が認められている。

新しく発表されたこのPolarPAKによるパワーMOSFETは30VのNチャネル・デバイス、SiE802DFおよびSiE800DFで、同期整流型DC/DCコンバータの下側制御スイッチ用として最適化されたSiE802DFは特にON抵抗が低く、ゲート駆動電圧 10Vで1.9mΩ以下（4.5Vでは2.6mΩ以下）、動作電流は最大60Aとなっている。また同期整流型DC/DCコンバータでデューティ・サイクルの低い上側MOSFET用に最適化されたSiE800DFは12 nCという極めて低いゲート電荷（Qg）が特長で、ON抵抗はゲート駆動電圧 10V時で7.2mΩ以下、同じく4.5Vでは11.5mΩ以下となっている。

これら新PolarPAKパワーMOSFETは標準SO8パッケージと同じ取り付け面積で、上面、下面の両方から同じ1 °C/Wの熱抵抗で放熱が可能。これにより放熱経路が2系統となり、このデバイスは標準SO8パッケージに比較して2倍の電流密度を達成できる。PolarPAKパワーMOSFETではジャンクションから周囲温度までの熱インピーダンスが改善されるため取り扱う電力が大きくなり、また同じ電力なら従来よりも低いジャンクション温度で動作可能。ジャンクション温度の低下はrDS(on)の低下を意味するため効率が改善され、ジャンクション温度が20 °C低下するだけで寿命（信頼性）は2.5倍にのびる。

この新PolarPAKデバイスはノートPCやデスクトップPCの電圧レギュレータ・モジュールなど高効率のDC/DC変換が必要な用途に向いている。優れた放熱性能を達成し、同時にパッケージに関連する損失も低減した取り付け面積5 mm x 6 mmのPolarPAKパッケージを使用すれば回路の小型化と部品点数の削減が可能。また高さも0.8 mmとSO8パッケージの半分になるため機器の薄型化にも貢献する。

SiE800DFおよびSiE802DFのサンプルおよび製品は現在入手可能で、量産出荷のリードタイムは10～12週間となっている。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。