双面冷却的新型 VISHAY SILICONIX POLARPAK® 功率 MOSFET 占位面积为 5 毫米×6 毫米，而其最大导通电阻低至 1.9 毫欧，电流处理高达 60A

宾夕法尼亚 MALVERN — 2005 年 12 月 21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，该公司正在推出率先采用其创新型 PolarPAK® 封装的两款功率 MOSFET，该封装使用双面冷却，可降低热阻、封装电阻及封装电感，从而实现更高效、更快速的开关功率 MOSFET。

PolarPAK 经过专门设计，可轻松处理及安装到采用高速组装设备的 PCB 上，从而在大批量生产中可实现高组装良品率。这是 PolarPAK 为什么赢得了具有双面冷却特性的第一个 MOSFET 封装这一声誉的原因之一，自 2005 年 3 月 Vishay 与 STMicroelectronics 缔结使用许可协议开始，多家厂商将采用该封装。

首款 PolarPAK 功率 MOSFET 为 30V n 通道 SiE802DF 与 SiE800DF。SiE802DF专为同步整流直流到直流转换器中的低端控制开关进行了优化，该器件在 10V 栅极驱动时具有最大 1.9 毫欧的超低导通电阻（在 4.5V 时最大为 2.6 毫欧），并且可处理高达 60A 的电流。SiE800DF专为用作同步直流到直流转换器设计中的低占空比高端 MOSFET 而进行了优化，该器件具有 12 nC 的超低典型栅极电荷 Qg，在 10V 时其导通电阻最大为 7.2 毫欧，在 4.5V 时为 11.5 毫欧。

这两款新型 PolarPAK 功率 MOSFET 具有与标准 SO-8 封装相同的占位面积，它们上表面的热阻为 1°C/W，下表面的热阻为 1°C/W。这提供了两条散热路径，从而使这两款器件的电流密度比标准 SO-8 高一倍。凭借更高的结-环境热阻抗，PolarPAK 功率 MOSFET 可处理更高功率或以更低的结温运行。更低的结温意味着更低的 rDS(on)，从而意味着更高的效率。结温降低 20°C 还可使使用寿命可靠性提高 2-1/2 倍。

新型 PolarPAK 器件的典型应用将包括笔记本电脑与台式电脑以及需要高效直流到直流转换的其它系统中的电压稳压器模块。通过提供出色的热性能以及降低与封装相关的损失，5 毫米×6 毫米的 PolarPAK 封装可使设计人员利用更少的元件数创建更小、更紧凑的电路设计。由于高度是 SO-8 的一半，仅为 0.8 毫米，因此 PolarPAK 封装还可使最终产品的厚度更薄。

目前，SiE800DF与 SiE802DF的样品和量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为 10～12 周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在 NYSE (VSH) 上市的“财富 1,000 强企业”，是世界上分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电子产品及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一。这些元件几乎用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。其产品创新、成功的收购战略以及提供“一站式”服务的能力已使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，可以访问 Internet 网站 http://www.vishay.com。