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Company Info:Press Room:2006 Releases:Neue ICs von Vishay Siliconix mit integrierten MOSFETs und Treibern
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Neue ICs von Vishay Siliconix mit integrierten MOSFETs und Treibern erlauben Schaltfrequenzen bis 1 MHz und haben einen 3% höheren Wirkungsgrad als diskrete Lösungen

Malvern, Pennsylvania (USA) – 23. Januar 2006. Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert zwei neue High-Speed-Spannungswandlerlösungen, die den Steuer-MOSFET, den Synchron-MOSFET und die Treiberschaltung in einem flachen, hochleistungsfähigen PowerPAK®-MLF-10x10-Gehäuse vereinen. Die neuen ICs vereinfachen die Entwicklung von Ein- und Mehrphasen-Gleichspannungswandlern und bieten einen um 3% höheren Wirkungsgrad als diskrete Lösungen.

Die Chips sind für Anwendungen in Servern, Routern, PoL- (Point of Load) Spannungswandlern (POL) sowie 3,3-V, 5-V und 12-V-Intermediate-Bus-Umgebungen vorgesehen. Sie sparen nicht nur Leiterplattenfläche und Energie, sondern ermöglichen auch höhere Ausgangsleistungen bei kleinem Footprint. Durch die Integration der MOSFETs und der Treiberschaltung werden parasitäre Streuinduktivitäten minimiert, die Überschwingen und Spannungsspitzen am Schaltknoten hervorrufen können.

Die neuen ICsSiC714CD10undSiC711CD10können mit einem beliebigen PWM-IC oder ASIC zu einem wirkungsgradstarken Abwärtsregler kombiniert werden. Ein low-seitiger MOSFET-Steueranschluss ermöglicht es, die Schaltung mit einer Vorspannung zu starten, um zu verhindern, dass ein geladener Ausgangskondensator entladen wird, was insbesondere in POL- und Server-Anwendungen zu Problemen führen kann.

Der neueSiC714CD10ist für Eingangsspannungen von 3,3 V bis 16 V ausgelegt, kann bei ruhender Luft einen Dauerstrom bis zu 27 A liefern und wurde für ein Tastverhältnis von 10% optimiert. Der typische On-Widerstand beträgt 3 m für den Low-Side-MOSFET bzw. 10,2 mΩ für den High-Side-MOSFET.

DerSiC711CD10von Vishay ist für Eingangsspannungen von 3,3 V bis 16 V, ein Tastverhältnis von 40% und Dauer-Ausgangsströme bis 25 A ausgelegt. Der typische On-Widerstand beträgt 4 m für beide MOSFETs.

Beide Typen sind für die Umsetzung einer Spannung von 12 V auf Logikpegel optimiert und erlauben Schaltfrequenzen von 100 kHz bis über 1 MHz. Das PowerPAK-MLF-10x10-Gehäuse zeichnet sich durch geringen Wärmewiderstand aus; die einfache Anschlussgeometrie vereinfacht das Leiterplattenlayout und die Bestückung.

Die Treiber schalten unterbrechend (break-before-make); dadurch wird ein gleichzeitiges Durchschalten der MOSFET verhindert, und die Totzeit wird minimiert. Diese ICs bieten außerdem einen internen Unterspannungsschutz und eine Ein-/Ausschaltfunktion. Eine integrierte Bootstrap-Diode reduziert die Anzahl der benötigten externen Bauteile noch weiter.

Die neuen schnell schaltenden MOSFETs mit integriertem Treiber sind ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt zwölf Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, Gleichrichter, Transistoren, optoelektronische Bauteile, ausgewählte IC-Typen) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten, Sensoren und Wandler). Diese Bauelemente werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Konsumgüterelektronik, Kommunikationstechnik, Wehr-, Luft-/Raumfahrttechnik und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Das sind die Gründe dafür, dass Vishay heute eines der weltweit führenden Unternehmen der Bauelementebranche ist. Im Internet finden Sie Vishay unter http://www.vishay.com.

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MOSFET
 

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