ビシェイ・シリコニクスの新タイプ、高速一体型MOSFET+ドライバ、 最大1MHZ動作でディスクリート・デバイスよりも効率が3％向上

ペンシルバニア州マルバーン市、2006年1月23日： ビシェイ・インターテクノロジー社（NYSE: VSH）は本日、制御用MOSFETと同期用MOSFET、さらにドライバ回路を薄型の高性能PowerPAK® MLF10x10パッケージに一体化した高速コンバータ・ソリューション2種を発表した。この新製品の採用で単相／多相のDC/DCコンバータ設計が容易になるだけでなく、ディスクリート部品を使った場合に比べて効率が3％向上する。

新デバイスの主な用途はサーバー、ルーター、ポイントオブロード（POL）コンバータ、3.3V／5V／12Vの中間バスなど。基板スペースと消費電力が節約でき、小さな取り付け面積で電力定格が高くなる。MOSFETとドライバの一体化により、スイッチング・ノードにリンギングやスパイクを発生させる寄生リーケージ・インダクタンスが小さく抑えられている。

このSiC714CD10やSiC711CD10はPWM ICやASICと適切に組み合わせることで高効率のバック・コンバータが得られる。下側MOSFETの制御ピンでプリ・バイアス起動を有効に設定すれば、充電された出力コンデンサから流れ込むシンク電流が原因で発生する問題を防止できる。この機能はPOLやサーバーの用途には特に有効。

新タイプSiC714CD10は定格入力電圧が3.3 V～16 V、静空気中での連続出力電流が最大27Aで、10％デューティの動作に最適化されている。ON抵抗の標準値は下側のMOSFETが3mΩ、上側MOSFETは10.2 mΩになっている。

40％デューティ動作のSiC711CD10は定格入力電圧が3.3 V～16 V、連続出力電流は最大25Aで、ON抵抗の標準値は上側、下側のMOSFET共に4 mΩである。

両デバイスとも12Vから論理レベル電圧への変換用に最適化されており、スイッチング周波数は100 kHzから1 MHz以上までをカバーする。PowerPAK MLF 10x10パッケージは熱抵抗が低くパッド形状も単純なため基板レイアウトやアセンブリも簡単になる。

ブレーク・ビフォア・メーク動作のため「シュート・スルー」がなく、また不感時間も最小。両デバイスとも、不足電圧ロックアウト機能とON/OFF機能を備えている。またブートストラップ用ダイオードも内蔵されているため、必要な外付け部品点数が少ない。

新タイプのドライバ内蔵高速スイッチングMOSFETのサンプルおよび製品は現在入手可能で、量産出荷のリードタイムは12週間となっている。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。