2006년 1월 23일 펜실베니아 맬번 – 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)가 제어 MOSFET, 싱크로너스 MOSFET, 드라이버 회로를 로우프로파일 형태의 고성능 PowerPAK® MLF 10x10 패키지에 모두 통합한 고속 컨버터 솔루션 신제품 2종을 출시한다고 밝혔다. 이들 신제품은 싱글 및 멀티페이스(single/multiphase) DC/DC 설계 과정을 단순화하고, 디스크리트 솔루션과 비교해 효율이 3%나 높은 것이 특징이다.

서버, 라우터, POL(point of load) 컨버터 관련 애플리케이션과 3.3V, 5V, 12V의 중간 버스 아키텍처 환경에서의 사용을 목적으로 고안된 이들 신제품은 보드 공간과 전력을 절약하는 것은 물론, 컴팩트한 솔루션에서 높은 전력을 이용할 수 있다는 것이 장점이다. MOSFET과 드라이버를 통합함으로써 스위칭 노드에서 링잉(ringing) 및 스파이크를 야기할 수 있는 기생 누설 인덕턴스를 최소화할 수 있다.

고효율 벅 컨버터 제작을 위해 SiC714CD10 및 SiC711CD10을 아무 PWM IC 또는 ASIC과 함께 사용할 수 있다. 로우사이드 MOSFET 제어핀은 미리 바이어스(bias)된 스타트업을 가능케 함으로써 미리 충전된 출력 커패시터로부터 의도하지 않는 싱킹 전류(sinking current)를 방지해 특히 POL과 서버 애플리케이션에서 문제를 일으키지 않도록 한다.

3.3V ~ 16V의 입력 전압으로 동작하는 SiC714CD10은 최대 27A의 연속 출력 전류를 제공할 수 있으며, 10% 듀티비(duty ratio)에 최적화 되어 있다. 일반적인 온저항 값은 로우사이드인 경우 3mΩ, 하이사이드 MOSFET의 경우에는 10.2mΩ이다.

비쉐이의 SiC711CD10의 입력 전압 범위는 3.3V ~ 16V이고, 듀티비는 40%이며, 최대 25A까지 연속 출력 전류를 제공할 수 있다. 일반적인 온저항값은 하이/로우사이드 MOSFET 모두 4mΩ이다.

두 디바이스는 12V에서 로직 레벨까지의 변환에 최적화되어 있고, 스위칭 주파수 범위는 100kHz에서 1MHz이상까지이다. PowerPAK MLF 10 x 10 패키지는 낮은 서멀 임피던스를 제공하고, 단순한 패드 구조로 되어 있기 때문에 보드 레이아웃과 조립이 매우 간편하다.

Break-before-make 동작 방식은 ‘슛스루’ 내성을 제공하고 데드타임을 최소화 한다. 이들 디바이스는 미달전압 로크아웃과 턴온/턴오프 기능이 특징이다. 내부 부트스트랩 다이오드는 외부 부품 수를 줄여준다.

드라이버가 통합된 새로운 고속 스위칭 MOSFET의 샘플 및 양산용 제품을 현재 구입할 수 있으며, 대량 주문 시 약 12주의 리드타임이 소요된다.

포춘지 선정 1000개 기업에 등록되어 나스닥 시장에서 VSH로 거래되는 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)는 업계 최대 규모의 디스크리트 반도체(다이오드, MOSFET, 적외선 광전자) 및 수동 전자 부품(저항, 인덕터 및 커패시터) 전문 계발 업체이다. 이들 부품은 산업, 컴퓨팅, 자동차, 컨수머, 전기 통신, 군사, 항공 우주 산업, 전원 장치 및 의료 분야 등 거의 모든 전자 부품 및 장비에 사용되고 있다. 비쉐이가 전세계 산업을 이끄는 선도적인 업체가 될 수 있었던 것은 제품의 혁신과 성공적인 인수 전략 및 ‘원스톱 샵’ 서비스를 제공하고자 하는 기업 이념이 뒷받침 되었기 때문이다. 비쉐이에 관한 자세한 정보는 웹사이트www.vishay.com 참조.

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