ビシェイ社の0.5A MOSFET IGBTドライバ、シャント抵抗を不要に 1.0Vの最大出力電圧がプラス側供給電圧と正確に整合

ペンシルバニア州マルバーン市、2006年6月26日： ビシェイ・インターテクノロジー社（NYSE: VSH）は光電子部品のシリーズに新タイプのMOSFET／IGBTドライバを追加した。0.5AのドライバVO3150はLレベル出力電圧が最大1.0Vのため負ゲートドライブを必要としない。互いに絶縁された高速光カプラとIGBT／MOSFETドライバが1パッケージに収納され、IGBTの直接駆動に最適なデバイス、定格は最大1200V／50A。産業機器や消費者向け電子機器に広く活用できる。

VO3150はまた、8ピンDIPパッケージで基板の面積を節約するため、無停電電源、ACモーターやブラシレスDCモーターのドライバ、産業用インバータ、スイッチング電源、プラズマディスプレイパネルなどの小型化に役立つ。

VO3150のH出力電圧は正側の供給電圧によく整合するため、DMOSやIGBT電力デバイスの性能向上のために供給電圧を上げたい場合、他社のMOSFET／IGBTドライバに比べて有利な選択となる。

VO3150は電力用半導体に共通の問題、すなわち規定の20Vよりも低いゲート・ソース間電圧で動作したときに出力電圧が高電圧側へドリフトするという問題にうまく対処している。この条件を回避するための一般的な解決策は、シャント抵抗をゲートドライバ出力に付加してプラス側への電圧ドリフトを防ぐ方法であるが、VO3150の場合にはプラス側への電圧ドリフト自体が発生しないため、このような挙動を補償するための追加部品は不要となる。

VO3150の絶縁耐圧は5300 V_rmsまたV_CM＝1500 Vでのコモンモード除去比は最小15 kV/µs、標準30 kV/µsとなっている。広帯域特性を持ち16kHz以上のスイッチング周波数で動作可能なため人間の可聴範囲外となり装置の静粛性が大きく向上する。最大伝搬遅延時間はわずか0.7 µs、最大供給電流7mA、動作範囲も15 V～30 Vと広範囲で、不足電圧ロックアウト機能付き。また動作温度範囲は産業用の-40ºC～＋85ºCとなっている。

VO3150のサンプルおよび製品は現在入手可能で、大量受注の場合のリードタイムは6～8週間となっている。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。