비쉐이, 0.5A MOSFET/IGBT 드라이버 개발: 포지티브 공급 전압에 1.0V의 최대 출력 전압 매칭을 통해 션트 저항 불필요

2006년 6월 26일 펜실베니아 맬번 – 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology)가 0.5A MOSFET/IGBT 드라이버를 개발, 자사의 광전자 제품군을 확대한다고 밝혔다. 이번에 개발된 제품은 1.0V의 최대 로우레벨 출력 전압을 제공함으로써 네거티브 게이트 드라이브가 필요 없는 것이 특징이다. 고속 광커플러와 IGBT/MOSFET 드라이버를 하나의 패키지에 집적한 절연 솔루션인 VO3150은 산업 및 컨수머 애플리케이션에 사용되는 IGBT(정격 전압 최대 1200V 및 50A)를 직접 구동하는데 이상적으로 활용될 수 있다.

8핀 DIP 패키지로 제공되는 VO3150은 무정지(uninterruptible) 파워 서플라이, AC 및 브러쉬리스 DC 모터 드라이브, 산업용 인버터, 스위치모드 파워 서플라이 및 플라즈마 디스플레이 패널과 같은 최종 제품에서의 보드 공간을 절약할 수 있다.

VO3150의 고출력 전압은 포지티브 공급 전압과 거의 비슷하기 때문에 DMOS 또는 IGBT 전력용 디바이스의 성능을 향상시키기 위해 더 높은 공급 전압을 필요로 하는 애플리케이션에서 다른 MOSFET/IGBT 드라이버에 비해 이점을 제공한다.

VO3150은 전력용 반도체 디바이스의 일반 문제점들을 해결할 수 있다. 보통 전력용 반도체에서는 디바이스가 20V 미만의 게이트-소스 전압에서 동작할 때 출력 전압이 위쪽으로 드리프트(drift) 한다. 이러한 상태를 피하기 위해서 일반적으로 이용되는 방법은 게이트 드라이버 출력에 션트 저항을 사용하는 것인데, 이렇게 하면 전압이 위로 드리프트 하는 것을 막을 수 있다. VO3150은 동일한 상승 전압 드리프트를 나타내지 않기 때문에 위와 같은 상황이 발생할 경우 이를 보상하기 위한 외부 부품이 필요 없는 것이 특징이다.

VO3150은 최소 15kV/µs의 5300 V_rms절연 전압과 1500V V_CM에서 일반적으로 30kV/s의 공통모드 제거를 제공한다. 이 제품은 16kHz 이상(인간의 귀로 들을 수 있는 범위를 벗어남)의 스위칭 주파수로 고대역폭에서 동작함으로써 소음이 적은 최종 제품 개발에 이용될 수 있다. 또한 전파 지연은 0.7µs에 불과하며, 최대 공급 전류는 7mA, 그리고 동작 범위는 15V ~ 30V로 넓다. 여기에 미달전압 록아웃(undervoltage lockout) 보호 기능도 제공된다. 사용 가능 온도 범위는 -40 °C ~ +85 °C이다.

현재 VO3150의 샘플 및 양산용 제품을 구입할 수 있으며, 대량 주문 시 납기일까지 약 6 ~ 8주가 소요된다.

포춘지 선정 1000대 기업에 속하며, 나스닥 시장에서 VSH로 거래되고 있는 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)는 업계 최대 규모의 디스크리트 반도체(다이오드, 정류기, 트랜지스터, 광전자, 선택형 IC) 및 수동 전자 부품(레지스터, 커패시터, 인덕터, 센서, 트랜스듀서) 전문 개발업체이다. 이들 부품은 실질적으로 산업, 컴퓨팅, 자동차, 컨수머, 텔레콤, 군사, 항공 및 의료 분야에서 모든 전자 디바이스 및 기기에 사용되고 있다. 비쉐이가 전세계 산업을 이끄는 선도적인 업체가 될 수 있었던 것은 제품의 혁신과 성공적인 인수 전략 및 ‘원스톱 샵’ 서비스를 제공하고자 하는 기업 이념이 뒷받침 되었기 때문이다. 회사에 관한 자세한 정보는 웹사이트를 참조하시기 바랍니다. www.vishay.com