Vishay 新型 0.5A MOSFET IGBT 驱动器与到正电源电压的 1.0V 最大输出电压紧密匹配，从而可省去分流电阻

宾夕法尼亚、MALVERN — 2006 年 6 月 26 日 — 日前，Vishay Intertechnology（NYSE 股市代码：VSH）正在向其光电子产品系列中添加一款 0.5A MOSFET/IGBT 驱动器，该器件的最大低电平输出电压为 1.0V，因此无需使用负栅极驱动器。在一个封装中结合了高速光耦合器与 IGBT/MOSFET 驱动器的隔离式解决方案 － 新型 VO3150 － 在工业及消费类应用中非常适用于额定电压及电流分别高达为 1200V 及 50A 直接驱动的 IGBT。

采用 8 引脚 DIP 封装的 VO3150可节省终端产品中的板面空间，这些产品包括不间断电源、交流及无刷直流电动机驱动、工业逆变器、开关模式电源，以及等离子显示器面板。

该VO3150的高输出电压与正电源电压紧密匹配，因此与需要更高电源电压来提高 DMOS 或 IGBT 电源器件性能的应用中采用的其它 MOSFET/IGBT 驱动器相比，VO3150 更具有优势。

该 VO3150解决了电源半导体器件的常见问题，在这些器件中，当该器件以低于一般规定的20V 的栅极-源极电压运行时，输出电压会向前漂移。为避免这种情况，一般规避方法是在栅极驱动输出位置使用分流电阻，这可防止电压向上漂移。由于 VO3150 没有展示同样的向上电压漂移，因此通过该器件可无需使用额外元件来补偿这种行为。

该VO3150具有 5300V_rms的隔离电压，在 1500V 的 V_CM时，其共模拒绝最低为 15kV/µs，典型为 30kV/µs。通过以开关频率高于 16kHz（超出了人的听觉范围）的高带宽运行，该器件可降低终端产品的噪声。其最大传播延迟时间仅为 0.7µs，最大供电电流为 7mA，并且具有 15V～30V 的宽阔工作电压范围，以及过压锁定保护。该器件的工业温度范围介于 -40°C～+85°C。

目前，VO3150的样品和量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 6～8 周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在 NYSE (VSH) 上市的“财富 1,000 强企业”，是世界上分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电子产品及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一。这些元件几乎用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。其产品创新、成功的收购战略以及提供“一站式”服务的能力已使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，可以访问 Internet 网站 http://www.vishay.com。