Vishay發表SMPC微型封裝TMBS™ 及平面肖特基整流器

以6.7-mm 接腳佔位、節省空間的 4.8-mm，實現達 100 V與 12 A之高電流密度效能

賓夕法尼亞州，MALVERN，2006年11月29日 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) 今日發表新微型封裝的槽沟式金属氧化硅肖特基(TMBS™) 及平面肖特基整流器，以纖巧尺寸及處理100 V 及12 A之能力，達到更高的電流密度供電設計。

透過1.1-mm 高度及運用6.7-mm 接腳佔位之4.8-mm，此採用SMPC 封裝的新元件，專門用來為較小空間之應用提供更高電流，包括交流轉直流及直流轉交流轉換器之次整流器及飛輪電路；小型及中型電源適配器的輸出整流器；電腦、LCD螢幕、及行動電話等消費性電子之切換模式供電；汽車及工業系統內的螺線管驅動電路之飛輪及極性保護；以及電訊與工業系統的OR-ing 二極體等。

三款今日所發表的SMPC封裝TMBS 整流器，具備達100V的額定電壓及8 A 至 12 A 高電流功率密度。16 款新平面肖特基整流器則提供20 V至100 V的額定電壓，以及3 A至 10 A 的高電流功率密度。所有元件均具備非常低的順向壓降，及特別的寬底盤設計，較其他小型尺寸封裝提供了更高的熱散效能。

這些新整流器的單晶或雙晶片、表面黏著 SMPC (TO-277A) 封裝，亦具備與其他SMD 裝置相容的焊接墊，因此當運用來升級既有元件時，將不需修改PCB 佈局。

SMPC Rectifier Specifications Summary Table

產品類別產品類別	Vishay P/N	I_F (A)	V_RRM (V)	V_F at I_F and T_J			I_FSM (A)	T_J max (°C)
產品類別產品類別	Vishay P/N	I_F (A)	V_RRM (V)	V_F (V)	I_F (A)	T_J (°C)	I_FSM (A)	T_J max (°C)
Trench MOS Barrier Schottky	V12P10	12	100	0.64	12	125	200	150
	V10P10	10	100	0.62	10	125	180
	V8P10	8	100	0.62	8	125	150
肖特基	SS10P3 and SS10P4	10	30 / 40	0.45	10	125	280
	SS8P2L and SS8P3L	8	20 / 30	0.49	8	125	150
	SS8PH9 and SS8PH10	8	90 / 100	0.76	8	125	150
	SS5P3 and SS5P4	5	30 / 40	0.45	5	125	150
	SS5P5 and SS5P6	5	50 / 60	0.62	5	125	150
	SS5P9 and SS5P10	5	90 / 100	0.68	5	125	150
	SS3P3L and SS3P4L	3	30 / 40	0.38	3	125	150
	SS3P5L and SS3P6L	3	50 / 60	0.54	3	125	150

SMPC封裝整流器目前提供樣品並開始供貨，立即下單之交期為6 至8 週。

Vishay Intertechnology, Inc.為Fortune 1,000 大公司，並上市於紐約證券交易所(代號:VSH)。其為全球最大的分離式半導體 (二極體、整流器、電晶體、光電及選擇性IC) 、以及被動電子零組件(電阻器、電容器、電感器、感測器及轉換器等)製造商之一。這些元件已被運用於所有類型的電子元件及設備中，包括工業、運算、汽車、消費性、電訊、軍事、航太及醫藥市場。其產品創新性、成功的收購策略、以及提供一次購足服務的能力，已使 Vishay 成為全球業界領導者。相關 Vishay 資訊請參閱 http://www.vishay.com

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