Neue n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im PowerPAK®-ChipFET®-Gehäuse von Vishay Silconix bieten die gleiche maximale Verlustleistung (3 W) wie vergleichbare Typen im SO-8-Gehäuse – und das bei einer um 81% kleineren Grundfläche

On-Widerstandswerte bis hinab zu 0,015

Malvern, Pennsylvania (USA) – 15. Januar 2007. Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert acht neue n-Kanal-Leistungs-MOSFETs in dem neuen, innovativen PowerPAK®-ChipFET®-Gehäuse, das nur 3 mm x 1,8 mm groß ist und hinsichtlich der thermischen Eigenschaften optimiert wurde. Die neuen Bauelemente sind in zahlreichen Konfigurationen und mit unterschiedlichen Sperrspannungen erhältlich; sie eignen sich als direkter Ersatz für größere Leistungs-MOSFETs in einer Vielzahl von Spannungswandler-Anwendungen.

Die neuen MOSFETs im PowerPAK-ChipFET-Gehäuse können Typen im wesentlich größeren SO-8-Gehäuse ersetzen und bieten bei einer um 81% kleineren Grundfläche und einer um 48% geringeren Bauhöhe (0,8 mm) die gleiche maximale Verlustleistung, nämlich 3 Watt.

Die für effizientes Design optimierten n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im neuen PowerPAK-ChipFET-Gehäuse von Vishay sind vorgesehen für platzbeschränkte Point-of-Load-, Synchrongleichrichter- und Logikpegel-Gleichspannungswandler geringer Leistung in Computern und Festnetz-Telekom-Produkten.

Die n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im PowerPAK-ChipFET-Gehäuse eignen sich außerdem für den Einsatz als Lastschalter in tragbaren elektronischen Systemen und Notebook-PCs; sie bieten im Vergleich zu Leistungs-MOSFETs im TSOP-6-Gehäuse eine um 33 % geringere Grundfläche, eine um 23% geringere Bauhöhe und einen um 9% geringeren On-Widerstand bei 4,5 V-Gate-Steuerspannung.

Die acht neuen Typen umfassen Einfach- und Zweifach-Leistungs-MOSFETs sowie Einfach-Leistungs-MOSFETs mit integrierter Schottky-Diode. Die Sperrspannungen reichen von 20 V bis 60 V.

Die Einfach-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs der PowerPAK-ChipFET-Familie haben einen Sperrschicht/Gehäuse-Wärmewiderstand (R_thJC) von nur 3C/W und einen maximalen On-Widerstand von nur 0,015 (20-V_DS-Einfach-Typen) bzw. 0,039 Ω (Zweifach-Typen). Die Einfach-Leistungs-MOSFETs mit integrierter Schottky-Diode haben einen On-Widerstand von nur 0,039 ; die Durchlassspannung der Schottky-Diode beträgt 0,375 V bei 1 A.

Alle diese neuen PowerPAK-ChipFETs sind anschlusskompatibel mit Produkten im Standard-ChipFET-Gehäuse.

Links zu Produktdatenblättern:

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Die neuen PowerPAK-ChipFETs sind ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt 12 bis 14 Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, Gleichrichter, Transistoren, optoelektronische Bauteile, ausgewählte IC-Typen) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten, Sensoren und Wandler). Diese Bauelemente werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Konsumgüterelektronik, Kommunikationstechnik, Wehr-, Luft-/Raumfahrttechnik und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Das sind die Gründe dafür, dass Vishay heute eines der weltweit führenden Unternehmen der Bauelementebranche ist. Im Internet finden Sie Vishay unter http://www.vishay.com.

PowerPAK und ChipFET sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.