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ビシェイ・シリコニクス製NチャネルPowerPAK® ChipFET® MOSFET、 SO-8と同じ3Wの最大電力損失で取付面積を81 %削減新デバイスは最小0.015 の低オン抵抗が特長ペンシルバニア州マルバーン市、2007年1月15日： ビシェイ・インターテクノロジー社（NYSE: VSH）は本日、革新的な新パッケージ（PowerPAK® ChipFET®）を採用した8品種のNチャネルパワーMOSFETを発表した。これらデバイスは熱性能が改善され取付け面積が3mmx1.8mmと小型化されている。新デバイスは各種の構成と電圧で供給されるため、従来の大型電力変換用パワーMOSFETを容易に小型化して置き換えることができる。 新MOSFETデバイス（PowerPAK ChipFET）は最大電力損失がSO-8パッケージの場合と同じ3Wで取付け面積を81％、高さを48％も削減（0.8mm）し、省スペース化と出力密度の向上が図れる。 ビシェイ社製新PowerPAK ChipFETファミリーのNチャネルパワーMOSFETは省スペース化が特に必要な低消費電力コンピュータや固定電気通信用のポイントオブロード（POL）コンバータ、同期整流、論理レベルDC/DCコンバータなどの用途に適しており、設計効率が最適化される。 これらNチャネルPowerPAK ChipFETデバイスは携帯電子機器やノートPCの負荷スイッチとしても利用でき、TSOP-6パッケージのパワーMOSFETと比較して取付け面積を33％、高さを23％削減するだけでなくゲートドライブ電 PowerPAK ChipFETファミリー、シングルNチャネルパワーMOSFETの熱抵抗は標準値で3C/W (RthJC)、オン抵抗の最大値はシングルチャネルデバイスで最小0.015Ω、デュアルチャネルデバイスで最小0.039Ω（いずれも20VDS ）となっている。またシングル＋ショットキーダイオードタイプのパワーMOSFETではオン抵抗が最小0.039Ω、ショットキーダイオードの順方向電圧は順電流1Aの条件で0.375 V。 新しいPowerPAK ChipFETデバイスはいずれも標準ChipFETパッケージ製品とのピン互換性がある。 製品データシートへのリンク：
Si5486DU
新PowerPAK ChipFETデバイスのサンプルおよび製品は現在入手可能で、大量注文の場合のリードタイムは12～14週間となっている。 ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。 ###
PowerPAKおよびChipFETはシリコニクス社（Siliconix incorporated）の登録商標である。 | | |
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