비쉐이 실리코닉스, N채널 PowerPAK® ChipFET® MOSFET 신제품 개발: 81%의 소형 풋프린트로 대형 SO-8 패키지와 동일한 3W 최대 전력소모량 제공

최저 0.015Ω의 저온저항 값이 특징인 신제품

2007년 1월 15일 펜실베니아 맬번 – 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc., NYSE: VSH)가 컴팩트한 3 x 1.8mm 풋프린트로 뛰어난 열 성능을 제공하는 새로운 혁신적인 PowerPAK® ChipFET® 패키지 형태의 n채널 파워 MOSFET 8종을 출시한다고 밝혔다. 설계자들은 다양한 구성과 전압이 특징인 이들 신제품을 이용해 여러 전력 변환 애플리케이션에서 대형 파워 MOSFET을 쉽게 대체할 수 있다.

크기가 훨씬 큰 SO-8 패키지의 MOSFET를 대체할 수 있는 공간절약형 솔루션인 이들 PowerPAK ChipFET 제품들은 풋프린트 면적은 81%나 더 작으면서 프로파일 두께는 48%(0.8mm)나 얇아진 조건에서 SO-8 패키지와 동일한 3W 최대 전력소모량을 제공함으로써 높은 전력 밀도를 자랑한다.

비쉐이의 새로운 PowerPAK ChipFET 제품군의 n채널 파워 MOSFET은 최적화 된 설계 효율을 위해 저전력 컴퓨터 및 유선 통신 애플리케이션과 같이 공간이 가장 중요한 부분을 차지하는 애플리케이션에서 PoL(point-of-load), 싱크로너스 정류기 및 로직 레벨 DC/DC 변환 애플리케이션에 사용된다.

n채널 PowerPAK ChipFET 디바이스는 휴대용 전자 시스템 및 노트북 PC에서 부하 스위치로써도 사용될 수 있어 TSOP-6 패키지 형태의 파워 MOSFET과 비교해 풋프린트를 33%나 절약하고, 프로파일 두께가 23%나 얇고, 4.5V 게이트 드라이브에서 온저항을 9% 정도 줄일 수 있다.

이번에 발표된 신제품 8종은 싱글, 듀얼, 싱글 플러스 쇼트키 다이오드 파워 MOSFET으로, 브레이크다운 전압 범위는 20V ~ 60V이다.

PowerPAK ChipFET 제품군 중 싱글 n채널 파워 MOSFET은 일반 열 저항 값이 3°C/W(R_thJC로 낮고, 최대 온저항 값은 20V_DS n채널 싱글 채널 디바이스의 경우 0.015, 듀얼 채널 디바이스는 0.039이다. 싱글 플러스 쇼트키 다이오드 파워 MOSFET은 0.039의 저온저항 값과 1A에서 0.375V의 쇼트키 다이오드 포워드 전압이 특징이다.

모든 PowerPAK ChipFET 신제품은 표준 ChipFET 패키지 형태의 제품들과 핀 호환이 가능하다.

제품 데이터시트 링크:

Si5486DU
Si5484DU
Si5482DU
Si5480DU
Si5476DU
Si5858DU
Si5938DU
Si5944DU

새로운 PowerPAK ChipFET 디바이스의 샘플 및 양산용 제품을 현재 구입할 수 있으며, 대량 주문 시 납기까지 12 ~ 14주가 소요된다.

포춘지 선정 1000대 기업에 속하며, 나스닥 시장에서 VSH로 거래되고 있는 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)는 업계 최대 규모의 디스크리트 반도체(다이오드, 정류기, 트랜지스터, 광전자, 선택형 IC) 및 수동 전자 부품(레지스터, 커패시터, 인덕터, 센서, 트랜스듀서) 전문 개발업체이다. 이들 부품은 실질적으로 산업, 컴퓨팅, 자동차, 컨수머, 텔레콤, 군사, 항공 및 의료 분야에서 모든 전자 디바이스 및 기기에 사용되고 있다. 비쉐이가 전세계 산업을 이끄는 선도적인 업체가 될 수 있었던 것은 제품의 혁신과 성공적인 인수 전략 및 ‘원스톱 샵’ 서비스를 제공하고자 하는 기업 이념이 뒷받침 되었기 때문이다. 회사에 관한 자세한 정보는 웹사이트를 참조하시기 바랍니다. www.vishay.com

PowerPAK 및 ChipFET은 Siliconix incorporated의 등록상표이다.