新型 Vishay Silconix N 信道 PowerPAK® ChipFET® MOSFET 具有 与较大型 SO-8 相同的 3W 最大功耗，但占位面积比其小 81%

新器件的导通电阻值低至 0.015 Ω

宾夕法尼亚、MALVERN — 2007 年 1 月 15 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代码：VSH）宣布推出八款采用创新型 PowerPAK® ChipFET® 封装的 N 信道功率 MOSFET，该封装可提供先进热性能，其占位面积仅为 3 毫米×1.8 毫米。这些新器件采用各种配置和电压，可使设计人员轻松替换广泛功率转换应用中的较大型功率 MOSFET。

作为采用较大型 SO-8 封装的 MOSFET 的小型替代产品，这些新型 PowerPAK ChipFET 器件具有相同的 3W 最大功耗，但占地面积小 81%，厚度薄 48%（0.8 毫米），因此具有更高的功率密度。

为实现优化的设计效率，采用 Vishay 新型 PowerPAK ChipFET 系列封装的 N 信道功率 MOSFET 是专门面向注重空间的低功耗计算机及固定电信应用中的负载点、同步整流及逻辑级直流到直流转换应用而设计的。

N 信道 PowerPAK ChipFET 器件还将用作便携式电子系统及笔记本电脑中的负载开关，因此与采用 TSOP-6 封装的功率 MOSFET 相比，可使占位面积减小 33%，厚度薄 23%，以及在 4.5V 栅极驱动时使导通电阻减小 9%。

日前推出的这八款新型器件包括单信道、双信道及单信道＋肖特基二极管功率 MOSFET，它们的额定击穿电压介于 20V～60V。

采用 PowerPAK ChipFET 系列封装的单个 N 信道功率 MOSFET 的额定典型热阻低至 3°C/W (R_thJC), 20V_DS N 信道单信道器件中的最大导通电阻值低至 0.015Ω，双信道器件的最大导通电阻值为 0.039Ω。单信道＋肖特基二极管功率 MOSFET 的导通电阻值低至 0.039Ω，在电流为 1A 时肖特基二极管的正向电压为 0.375V。

所有这些新型 PowerPAK ChipFET 器件均与采用标准 ChipFET 封装的产品引脚兼容。

产品数据表链接：

Si5486DU
Si5484DU
Si5482DU
Si5480DU
Si5476DU
Si5858DU
Si5938DU
Si5944DU

目前，这些新型 PowerPAK ChipFET 器件的样品及量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为 12 - 14 周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在 NYSE (VSH) 上市的“财富 1,000 强企业”，是世界上分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电子产品及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一。这些元件几乎用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。其产品创新、成功的收购战略以及提供“一站式”服务的能力已使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，可以访问 Internet 网站 http://www.vishay.com。

PowerPAK 及 ChipFET 为 Siliconix Incorporated 的注册商标。