ビシェイ社の新型20V/40VPolarPAK® パワーMOSFET、 最小1.4mΩの低オン抵抗と両面冷却による熱性能の改善を同時に達成

ペンシルバニア州マルバーン市、2007年1月22日： ビシェイ・インターテクノロジー社（NYSE: VSH）はPolarPAK®パワーMOSFETファミリーに20V、30V、40VのNチャネルデバイスを新たに追加した。両面冷却による熱性能の向上で機器の小型化とコストダウンが可能になる。.

電話／データ通信用機器の同期整流、ポイントオブロード（POL）コンバータ、OR回路などの用途に最適なこれらビシェイ・シリコニクス社のPolarPAKデバイス（本日発表）は市販の同種両面冷却デバイスよりもオン抵抗が最大48％改善され、またオン抵抗とゲート容量の積も12%低い。

この性能向上により導電損失やスイッチング損失が低減され、最終製品の低消費電力化が可能になる。PolarPAKの両面冷却構造では熱伝導の経路が2重になるため強制空冷方式をとるシステムで電流密度が向上し、更なる小型化や並列接続MOSFET数の削減が可能になる。またどうしても並列接続が避けられない場合でも、ピン配列が最適化されたPolarPAKでは、基板上のパタン配線によるインダクタンスが極小化できるため特に高周波での効率が向上する。

本日発表されたPolarPAKデバイスは標準SO-8パッケージと同じ取付け面積で、厚みは半分の0.8mm。オン抵抗の範囲は20Vの SiE810DF とSiE808DF、30VのSiE806DF40VのSiE812DF の各デバイスで1.4mΩ～2.6mΩとなっている。またオン抵抗とゲート容量の積による性能指数（FOM）も極めて低い。30Vと40Vのデバイスはそれぞれ127.5と135.2とほぼ同等の同期整流時のFOMを持つため、ブレークダウン電圧の余裕が必要な用途の場合には40Vデバイスを選択するなどのトレードオフも可能になる。

また伝導損失よりもスイッチング損失の低減が重要な用途向けにオン抵抗が高めの2品種も用意されている。30VタイプのSiE830DFはゲート駆動電圧10Vのオン抵抗が4.2mΩ、40Vの SiE832DFは同じく5.5mΩとなっている。

消費電力の削減と熱管理上の利点に加え、ビシェイ・シリコニクス社のPolarPAKパワーMOSFETは柔軟性や信頼性が高く取り扱いも容易。このファミリー内ではチップサイズによらずフットプリントやパッドのレイアウトが共通なため新世代のシリコンデバイスが登場した場合でも基板設計を変更する必要がない。また標準リードフレームとプラスチック封止の構造により、チップ保護特性も改善されている。そのためPolarPAKは両面冷却のMOSFETパッケージとしては初めて複数のメーカーに採用され、高い評価を得ている。

新PolarPAKパワーMOSFETのサンプルおよび製品は現在入手可能で、大量注文時のリードタイムは8～10週間となっている。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。

PolarPAKはシリコニクス社（Siliconix incorporated）の登録商標である。