Neue PowerPAK®-ChipFET®-Leistungs-MOSFETs von Vishay Siliconix

Neue Produkte bieten im Vergleich zu Leistungs-MOSFETs im größeren SO-8-Gehäuse die gleiche maximale Verlustleistung und eine höhere thermische Effizienz

Malvern, Pennsylvania (USA) – 16. Juli 2007. Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert als Antwort auf den zunehmenden Bedarf an thermisch effizienten Leistungshalbleitern mit kleinerem Footprint sieben p-Kanal-Leistungs-MOSFETs in einem neuen PowerPAK^®-ChipFET^®-Gehäuse, das nur 3mm x 1,8mm groß ist und sich durch verbesserte thermische Eigenschaften auszeichnet.

Die neuen PowerPAK-ChipFETs sind eine platzsparende Alternative zu MOSFETs im TSOP-6-Gehäuse; sie bieten einen um 75% geringeren Wärmewiderstand, eine um 33% kleinere Grundfläche und eine um 23% geringere Bauhöhe (0,8 mm).

Die maximal zulässige Verlustleistung ist mit 3W genauso hoch wie bei dem wesentlich größeren SO-8-Gehäuse.

Durch ihren geringen Wärmewiderstand und ihre höhere thermische Effizienz ermöglichen die p-Kanal-Leistungs-MOSFETs der neuen PowerPAK-ChipFET-Familie von Vishay längere Batterielaufzeiten bei tragbaren Geräten; die Bauteile sind ein idealer Ersatz für MOSFET-Last-, Lader- und Batterieschalter im TSOP-6-Gehäuse. Die p-Kanal-Version mit integrierter Schottky-Diode eignet sich als Ersatz für Typen im SO-8-Gehäuse zur Verwendung als Laderschalter in tragbaren Geräten oder Asynchron-DC/DCWandlern, wie sie beispielsweise in Festplattenlaufwerken und Spielkonsolen eingesetzt werden. Da die neuen PowerPAK-ChipFET-Leistungs-MOSFETs in zahlreichen Konfigurationen und mit diversen Sperrspannungen erhältlich sind, können Entwickler problemlos größere Leistungs-MOSFETs mit höherem Wärmewiderstand durch einen der neuen Typen in diesem innovativen Gehäuse ersetzen.

Die neue Leistungs-MOSFET-Familie umfasst Einfach- und Zweifach-Typen sowie einen Einfach-Typ mit integrierter Schottky Diode mit Sperrspannungen von 12V und 20V.

Die wichtigsten Spezifikationen

Die Einfach-p-Kanal-Leistungs-MOSFETs der PowerPAK-ChipFET-Familie haben einen typischen Wärmewiderstand von nur 3C/W (R_thJC). Der Einkanal-Typ mit 20V_DShat einen maximalen On-Widerstand von nur 0,021Ω und der Zweifach-Typ einen On-Widerstand von nur 0,064Ω – das bedeutet eine Verbesserung um bis zu 50% im Vergleich zu Leistungs-MOSFETs im TSOP-6-Gehäuse.

Komplementär-PowerPAK-ChipFET-MOSFETs mit je einem n-Kanal- und einem p-Kanal-Typ im gleichen Gehäuse haben einen On-Widerstand von nur 0,039Ω (n-Kanal) bzw. 0,072Ω (p-Kanal) – das bedeutet eine Verbesserung um über 35% gegenüber den niederohmigsten Komplementärtypen im TSOP-6-Gehäuse.

Alle diese neuen PowerPAK-ChipFET-Typen sind anschlusskompatibel mit Produkten im Standard-ChipFET-Gehäuse.

Die neuen PowerPAK-ChipFET-Bauteile sind ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt 12 bis 14 Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, Gleichrichter, Transistoren, optoelektronische Bauteile, ausgewählte IC-Typen) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten, Sensoren und Wandler). Diese Bauelemente werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Konsumgüterelektronik, Kommunikationstechnik, Wehr-, Luft-/Raumfahrttechnik und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Das sind die Gründe dafür, dass Vishay heute eines der weltweit führenden Unternehmen der Bauelementebranche ist. Im Internet finden Sie Vishay unter http://www.vishay.com.

PowerPAK und ChipFET sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.