ビシェイ・シリコニクス社の新PowerPAK® ChipFET®パワーMOSFET、 TSOP-6デバイスと比べ熱抵抗を75％、取付面積を33％削減

熱効率の向上で大型SO-8パッケージと同じ3Wの最大電力損失を実現

ペンシルバニア州マルバーン市、 2007年7月 16日： 熱効率が高く取付面積の小さな電力用半導体の需要拡大に応え、ビシェイ・インターテクノロジー社（NYSE: VSH）は本日、新パッケージ（PowerPAK^® ChipFET^®を採用した7種のPチャネルパワーMOSFETを発表した。熱性能が改善され取付面積が3mmx1.8mmと小型化されている。

小さな取付面積でTSOP-6パッケージのMOSFETを置き換えるこの新デバイス（PowerPAK ChipFET）は熱抵抗が75％低下、取付面積が33％減少し、高さも23％低くなった（0.8mm）。

最大電力損失3Wは、格段に大きなSO-8パッケージと同じ。

伝導損失が小さく熱効率が向上したビシェイ社のPowerPAK ChipFETによるPチャネルMOSFETファミリーを使えば、これまで負荷のスイッチングやチャージャー／電池のスイッチングにTSOP-6パッケージのデバイスを利用していた携帯機器で電池駆動時間が大きく改善される。さらに、ショットキー・ダイオード付きのPチャネル・デバイスは携帯機器のチャージャー用スイッチやハードディスク／ゲーム機等に見られる非同期DC/DCコンバータで従来のSO-8デバイスを置き換えられる。

この革新的パッケージによる新MOSFETファミリーは様々な構成と電圧で提供されるため、大きく熱効率の悪い従来のデバイスを容易に置き換えることができる。

本日発表された7種のパワーMOSFETはシングル、デュアル、およびシングル／ショットキー・ダイオード付きの各タイプで、定格ブレークダウン電圧は12～20V。

デバイスの仕様表

PowerPAK ChipFETファミリー、シングルPチャネルパワーMOSFETの熱抵抗は標準値で3C/W （R_thJC）、オン抵抗の最大値はシングルPチャネル・デバイスで0.021Ω、デュアルチャネルデバイスで0.064Ω（いずれも20V_DS）となっており、TSOP-6パッケージのデバイスと比較して最大50％の改善が図られている。

NチャネルとPチャネルのコンプリメンタリ・パッケージによるPowerPAK ChipFET MOSFETの場合、オン抵抗はNチャネル部分が0.039Ω、Pチャネル部分が0.072Ωで、最もr_DS(on)が低いTSOP-6パッケージのデバイスに比べ35%以上の改善が図られている。

これらPowerPAK ChipFETデバイスはいずれも標準ChipFETパッケージ製品とピン互換性がある。

新PowerPAK ChipFETデバイスのサンプルおよび製品は現在入手可能で、大量注文の場合のリードタイムは12～14週となっている。

PowerPAKおよびChipFETはシリコニクス社（Siliconix incorporated）の登録商標である。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。