새로운 비쉐이 실리코닉스 PowerPAK® ChipFET® Power MOSFET, TSOP-6 패키지 제품에 비해 열 저항 75% 감소, 풋프린트 33% 감소

대형 SO-8 패키지와 동등한 3W 최대 전력소모량 및 뛰어난 열 효율 제공

2007년 7월 16일 펜실베니아 맬번 –열 성능이 더욱 개선된 소형 풋프린트 형태의 전력 반도체에 대한 수요가 늘어남에 따라 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc., NYSE: VSH)가 새로운 PowerPAK^® ChipFET^® 패키지 형태의 p채널 파워 MOSFET 7종을 개발했다고 밝혔다. 이들 제품은 컴팩트한 3mm x 8mm 풋프린트 크기가 특징이며, 열 성능이 향상되었다.

TSOP-6 패키지 형태의 MOSFET을 대체할 수 있는 소형 풋프린트를 제공하는 이 새로운 PowerPAK ChipFET은 열 저항 값75%의 감소, 풋프린트 면적 33% 감소 및 높이 프로파일(0.8mm) 23% 감소 등의 특징을 제공한다.

최대 전력 소모량은 3W로, 크기가 훨씬 큰 SO-8 패키지와 같은 수준이다.

전도 손실이 낮고, 열 효율은 더욱 높아진 비쉐이의 새로운 PowerPAK ChipFET 제품군의 p채널 파워 MOSFET은 휴대용 기기에서의 배터리 런타임을 더욱 연장시킬 수 있다. 또한 이들 제품에 사용되어 TSOP-6 형태의 로드, 차저, 배터리 MOSFET 스위치를 대체할 수 있다. 뿐만 아니라 쇼트키 다이오드를 탑재한 p채널 버전은 하드 디스크 드라이브 및 게임기에서 찾아볼 수 있는 휴대용 기기 또는 비동기 DC/DC 애플리케이션에서 차저 스위치로도 사용 가능해 SO-8 패키지 형태의 디바이스를 대체할 수 있다.

이들 PowerPAK ChipFET 파워 MOSFET 제품들은 다양한 구성 및 전압으로 이용할 수 있기 때문에 설계자들은 효율이 떨어지는 대형 파워 MOSFET을 이러한 혁신적인 패키지로 대체할 수 있다.

이번에 개발된 신제품 7종은 싱글, 듀얼 및 쇼트키 다이오드 탑재형 싱글 파워 MOSFET으로, 브레이크다운 전압은 12V ~ 20V이다.

제품 특징

PowerPAK ChipFET 제품군에 속하는 싱글 p채널 파워 MOSFET은 일반 열 저항 값이 3°C/W (R_thJC)로 낮다. 최대 온 저항 값은 20V_DS p채널 싱글 채널 디바이스의 경우 0.021Ω이고, 듀얼 채널 디바이스는 0.064Ω이며, 이는 TSOP-6 패키지 제품에 비해 50%가 향상된 것이다.

보상 코패키지(copackaged) n채널 및 p채널 PowerPAK ChipFET MOSFET은 n채널 부품의 경우 온저항 값이 0.039Ω이고, p채널은 0.072Ω이며, 이는 TSOP-6 패키지 형태의 최저 r_DS(on) 보상 디바이스에 비해 35%나 향상된 수준이다.

이들 PowerPAK ChipFET 제품들은 모두 표준 ChipFET 패키지로 제공되는 제품들과 핀 호환이 가능하다.

새로운 PowerPAK ChipFET 디바이스의 샘플 및 양산용 제품들을 현재 구입할 수 있으며, 대량 주문 시 납기까지 약 12 ~ 14주가 소요된다.

PowerPAK 및 ChipFET은 Siliconix incorporated의 등록상표이다.

포춘지 선정 1000대 기업에 속하며, 나스닥 시장에서 VSH로 거래되고 있는 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)는 업계 최대 규모의 디스크리트 반도체(다이오드, 정류기, 트랜지스터, 광전자, 선택형 IC) 및 수동 전자 부품(레지스터, 커패시터, 인덕터, 센서, 트랜스듀서) 전문 개발업체이다. 이들 부품은 실질적으로 산업, 컴퓨팅, 자동차, 컨수머, 텔레콤, 군사, 항공 및 의료 분야에서 모든 전자 디바이스 및 기기에 사용되고 있다. 비쉐이가 전세계 산업을 이끄는 선도적인 업체가 될 수 있었던 것은 제품의 혁신과 성공적인 인수 전략 및 ‘원스톱 샵’ 서비스를 제공하고자 하는 기업 이념이 뒷받침 되었기 때문이다. 회사에 관한 자세한 정보는 웹사이트를 참조하시기 바랍니다. www.vishay.com