宾夕法尼亚、MALVERN — 2007 年 7 月 16 日 — 日前，为不断满足对高热效功率半导体不断增长的需求，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代码：VSH）宣布推出七款采用新型 PowerPAK^® ChipFET^®封装的 p 通道功率 MOSFET，该封装可提供高级热性能，其占位面积仅为 3mm×1.8mm。

这些新型 PowerPAK ChipFET 器件的热阻值低 75%，占位面积小 33%，厚度（0.8 毫米）薄 23%，它们成为采用 TSOP-6 封装的 MOSFET 的小型替代产品。

这些器件的最大功耗为 3W，与更大的 SO-8 封装的相同。

凭借低传导损失及更高热效，Vishay 新型 PowerPAK ChipFET 系列中的 p 通道功率 MOSFET 可延长便携式设备的电池使用时间，在这些器件中，它们将用于替代采用 TSOP-6 封装的负载、充电器及电池 MOSFET 开关。此外，肖特基二极管版本的 p 通道还可作为便携式设备或异步直流到直流应用中的充电器开关，例如硬盘驱动器及游戏机中的充电器开关，以替代采用 SO-8 封装的器件。

由于这些新型 PowerPAK ChipFET 功率 MOSFET 具有多种配置及电压，因此设计人员可利用采用这种创新封装的器件轻松替代热效更低的更大 MOSFET。

日前推出的这七款新型器件为单通道、双通道及单通道带肖特基二极管的功率 MOSFET，它们的额定击穿电压为 12V 及 20V。

器件规格表

部件编号	VDS (V)	VGS (V)	rDS(on) @ VGS = 4.5V (Ω)	rDS(on) @ VGS = 2.5V (Ω)	rDS(on) @ VGS = 1.8V (Ω)	数据表	配置
Si5479DU	-12	8	0.021	0.028	0.039	73368	Single
Si5481DU	-20	8	0.022	0.029	0.041	73777	Single
Si5485DU	-20	12	0.025	0.042		73779	Single
Si5857DU	-20	12	0.058	0.1		73696	Single/Schottky
Si5943DU	-12	8	0.064	0.089	0.12	73669	Dual
Si5947DU	-20	12	0.058	0.1		73695	Dual
Si5517DU	20 -20	8 8	0.039 0.072	0.045 0.100	0.055 0.131	73529	N and P

采用 PowerPAK ChipFET 系列封装的单个 p 通道功率 MOSFET 的额定典型热阻值低至 3°C/W (R_thJC), 20V_DSp 通道单信道器件中的最大导通电阻值低至 0.021Ω，双通道器件的最大导通电阻值为 0.064Ω － 与采用 TSOP-6 封装的器件相比，改进了 50%。

同样封装的互补 n 通道与 p 通道 PowerPAK ChipFET MOSFET 对于 n 通道元件具有 0.039Ω 的导通电阻值，对于 p 通道元件具有 0.072Ω 的导通电阻值，与采用 TSOP-6 封装的导通电阻值 -r_DS(on)最低的相应器件相比，改进了 35% 以上。

所有这些新型 PowerPAK ChipFET 器件均与采用标准 ChipFET 封装的产品引脚兼容。

目前，这些新型 PowerPAK ChipFET 器件的样品及量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为 12 - 14 周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器和电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购，以及“一站式”服务，Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 http://www.vishay.com.

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PowerPAK 及 ChipFET 为 Siliconix Incorporated 的注册商标。