Vishay präsentiert die weltweit ersten Leistungs-MOSFETs, deren On-Widerstand bei 1,2 V Gate-Source-Spannung spezifiziert ist

N- und p-Kanal-TrenchFET®-Bauteile vereinfachen die Entwicklung von Power-Management-Schaltungen für tragbare Geräte mit weniger als 1,8 V Betriebsspannung

Malvern, Pennsylvania (USA) – 15. August 2007. Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert die weltweit ersten Leistungs-MOSFETs, deren On-Widerstand für eine Gate-Source-Spannung von 1,2V spezifiziert ist. Die neuen Bauteile erleichtern dadurch die Entwicklung von Power-Management-Schaltungen und verlängern die Batterielaufzeit tragbarer elektronischer Geräte.

Die neuen, 1,2-V-spezifizierten TrenchFET®-Typen von Vishay Siliconix passen von ihrer Schwellenspannung her optimal zu den 1,2-V- bis 1,3-V-Betriebsspannungen von Digital-ICs in mobilen elektronischen Geräten; sie ermöglichen dadurch sicherere und zuverlässigere Designs. Die neuen TrenchFETs sind die erste Leistungs-MOSFETs, die direkt durch 1.2-V-Busse angesteuert werden können. Sie machen dadurch bei batteriebetriebenen Systemen mit einer Core-Spannung von weniger als 1,8 V eine zusätzliche Pegelwandlerstufe überflüssig.

Bei MOSFETs mit 1,5 V Schwellenspannung besteht die Gefahr, dass der On-Widerstand bei niedrigeren, nicht-spezifizierten Gate-Source-Spannungen, beispielsweise 1,2 V, exponentiell ansteigt. Im Gegensatz dazu bieten die neuen 1.2-V-spezifizierten TrenchFETs bei 1,2 V Gate-Spannung einen garantierten On-Widerstand von maximal 0,041 Ω (n-Kanal) bzw. 0,095 Ω (p-Kanal). Der On-Widerstand bei 1,5 V Gate-Spannung ist kleiner als bei Typen, die für eine Gate-Source-Spannung von 1,5 V oder mehr spezifiziert sind, nämlich 0,022 Ohm (n-Kanal) bzw. 0,058 Ohm (p-Kanal).

Hier die Typenbezeichnungen und Gehäusebauformen der neuen Leistungs-MOSFETs: n-KanalSiA414DJ(PowerPAK® SC-70),Si8424DB(MICRO FOOT®) undSiB414DK(PowerPAK SC-75); p-KanalSiA417DJ(PowerPAK SC-70),Si8429DB(MICRO FOOT) undSiB417DK(PowerPAK SC-75). Der kürzlich vorgestellte p-Kanal-TypSi1499DHim SC-70-Gehäuse ergänzt Vishays Angebot an 1.2-V-spezifizierten Leistungs-MOSFETs.

Die wichtigsten Spezifikationen

V_DS= ±8 V für alle Typen. Alle Typen sind einkanalig.

Typische Anwendungen für die neuen Bauteile sind elektronische Lasten, Leistungsverstärker und Akkulader-Schalter in Mobiltelefonen, PDAs, MP3-Playern, Digitalkameras und sonstigen tragbaren Systemen. Die neuen Bauteile sparen nicht nur Batterieleistung (durch ihren niedrigen On-Widerstand), sondern auch Platz (durch ihre kompakten Abmessungen von nur 1,5 mm x 1,5 mm).

Alle sieben genannten 1,2-V-Bauteile sind ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt 8 bis 10 Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, Gleichrichter, Transistoren, optoelektronische Bauteile, ausgewählte IC-Typen) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten, Sensoren und Wandler). Diese Bauelemente werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Konsumgüterelektronik, Kommunikationstechnik, Wehr-, Luft-/Raumfahrttechnik und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Das sind die Gründe dafür, dass Vishay heute eines der weltweit führenden Unternehmen der Bauelementebranche ist. Im Internet finden Sie Vishay unter http://www.vishay.com.

TrenchFET, PowerPAK und MICRO FOOT sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.