ビシェイ社、業界初のゲートソース間電圧1.2Vで ON抵抗を規定したパワーMOSFETを発売

N／PチャネルTrenchFET®デバイス 携帯機器で1.8V以下の電源管理を容易に

ペンシルバニア州マルバーン市、2007年8月15日： ビシェイ・インターテクノロジー社（NYSE: VSH）は本日、業界初となるゲートソース間電圧1.2VでON抵抗を規定したパワーMOSFETを発表した。これは携帯機器のバッテリー動作の長時間化へ向け電源管理回路の設計を容易にするための動き。

新しい1.2V定格のビシェイ・シリコニクスTrenchFET®デバイスはターンオン電圧を携帯機器用デジタルICの動作電圧である1.2V～1.3Vに整合させるもので、これにより信頼性の高い安全な設計が可能になる。TrenchFETは1.2Vバスから直接駆動できる初のパワーMOSFETで、1.8V未満のコア電圧による電池動作系との間で余分な変換段が不要になるという利点もある。

最低定格電圧が1.5VのMOSFETの場合、たとえば1.2Vなど仕様値が規定されていないゲートソース間電圧でのON抵抗は指数関数的に増加する。これに対し新タイプの1.2V動作TrenchFETの場合、ゲートドライブ電圧1.2VではNチャネルで0.041Ω、Pチャネルで0.095 Ωという低ON抵抗が保証される。またゲートドライブ電圧が1.5Vの場合のON抵抗はゲートソース間の最低電圧が1.5Vのデバイスよりも良好で、その値は最小0.022Ω（Nチャネル）および0.058Ω（Pチャネル）となっている。

本日発表されたデバイス（パッケージ）は、NチャネルデバイスとしてSiA414DJ (PowerPAK® SC-70)、Si8424DB (MICRO FOOT®),SiB414DK (PowerPAK SC-75)の3種、またPチャネルデバイスとしてSiA417DJ (PowerPAK SC-70)、Si8429DB (MICRO FOOT)、SiB417DK (PowerPAK SC-75)の3種である。ビシェイ社の1.2VパワーMOSFETシリーズには、既に発売されているPチャネルデバイス、Si1499DH（SC-70パッケージ）もある。

主要仕様項目

V_DSデバイスはすべてVDS = ±8 V、シングルチャネル

新デバイスの標準的な用途としては携帯電話、PDA、MP3プレーヤ、デジタルカメラ、その他携帯機器での負荷、パワーアンプ、バッテリー充電器のスイッチングなどがある。低ON抵抗による電池電源の節約が可能なだけでなく1.5mm x 1.5mmの超小型パッケージはスペースの節約にも有効。

1.2Vデバイス5種のサンプルおよび製品は現在入手可能で、量産出荷のリードタイムは8～10週間となっている。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。

TrenchFET、PowerPAK、MICRO FOOTはシリコニクス社（Siliconix incorporated）の登録商標です。