비쉐이, 업계 최초 파워 MOSFET 출시: 1.2V 게이트-소스 전압에서 온저항 제공

N 및 P채널 TrenchFET® 디바이스, 1.8V 이하의 휴대용 전력관리 설계 단순화

2007년 8월 15일 펜실베니아 맬번 – 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc., NYSE: VSH)가 업계 최초의 파워 MOSFET을 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 1.2V의 게이트-소스 전압에서 온저항을 가지며, 설계자들은 이 제품을 이용해 휴대용 전자 시스템의 전력관리 회로를 단순화함과 동시에 배터리 런타임을 확대할 수 있다.

정격 전압 1.2V의 Vishay Siliconix TrenchFET® 디바이스는 MOSFET 턴온 전압이 휴대용 전자기기에 사용되는 디지털 IC의 1.2V ~ 1.3V 동작 전압과 함께 사용될 수 있도록 함으로써 더욱더 안전하고 신뢰할 수 있는 설계를 구현할 수 있도록 해준다. 1.2V 버스로부터 곧바로 구동될 수 있는 최초의 파워 MOSFET인 이 새로운 TrenchFET은 1.8V 이하의 코어 전압을 가지는 배터리 구동식 시스템에서 추가적인 변환 단계를 없앤 것이 특징이다.

1.5V가 최저 전압인 MOSFET에서 온저항은 1.2V 정도로 낮고, 불특정 게이트-소스 전압에서 급격히 증가하는 경향이 있다. 반대로 이번에 개발된 새로운 1.2V TrenchFET은 1.2V 게이트 드라이브에서 0.041Ω의 저 n채널 온저항과 p채널 온저항을 보장한다. 1.5V 게이트 드라이브에서 온저항 성능은 n채널일 경우 0.022, p채널일 경우에는 0.058로, 최저 게이트-소스 전압이 1.5V인 디바이스보다 우수하다.

이번에 출시된 디바이스(패키지 형태 포함)에는 n채널인 SiA414DJ (PowerPAK® SC-70), Si8424DB (MICRO FOOT®), 및SiB414DK (PowerPAK SC-75)와 p채널인 SiA417DJ (PowerPAK SC-70), Si8429DB (MICRO FOOT), 및SiB417DK (PowerPAK SC-75)이 포함된다. SC-70 패키지로 제공되는 기존 제품인 Si1499DH도 비쉐이의 1.2V 파워 MOSFET에 포함된다.

핵심 특징

V_DSVDS = ±8 V(전체 디바이스에 해당). 모든 디바이스가 싱글 채널임.

이들 신제품은 일반적으로 휴대폰, PDA, MP3 플레이어, 디지털 카메라 및 기타 휴대용 시스템에서 부하, 파워 앰프, 배터리 차저 스위칭에 사용된다. 온저항으로 배터리 전력을 아낄 수 있는 것은 물론, 이들 디바이스는 패키지 크기도 1.5mm x 1.5mm로 작아 공간을 덜 차지한다.

현재 이들 1.2V 신제품 7종의 샘플 및 양산용 제품을 구입할 수 있으며, 대량 주문 시 납기까지 8 ~ 10주가 소요된다.

포춘지 선정 1000대 기업에 속하며, 나스닥 시장에서 VSH로 거래되고 있는 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)는 업계 최대 규모의 디스크리트 반도체(다이오드, 정류기, 트랜지스터, 광전자, 선택형 IC) 및 수동 전자 부품(레지스터, 커패시터, 인덕터, 센서, 트랜스듀서) 전문 개발업체이다. 이들 부품은 실질적으로 산업, 컴퓨팅, 자동차, 컨수머, 텔레콤, 군사, 항공 및 의료 분야에서 모든 전자 디바이스 및 기기에 사용되고 있다. 비쉐이가 전세계 산업을 이끄는 선도적인 업체가 될 수 있었던 것은 제품의 혁신과 성공적인 인수 전략 및 ‘원스톱 샵’ 서비스를 제공하고자 하는 기업 이념이 뒷받침 되었기 때문이다. 회사에 관한 자세한 정보는 웹사이트를 참조하시기 바랍니다. www.vishay.com

TrenchFET, PowerPAK, 및 MICRO FOOT은 Siliconix incorporated의 등록상표이다.