Vishay 推出业界首批在 1.2V 栅源电压时 额定导通电阻值的功率 MOSFET

N 及 P 通道 TrenchFET® 器件简化了低于 1.8V 的便携式电源管理设计

宾夕法尼亚、MALVERN — 2007 年 8 月 15 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出业界首批在 1.2V 栅源电压时具有额定导通电阻值的功率 MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长便携式电子系统中的电池运行时间。

额定电压为 1.2V 的这些新型 Vishay Siliconix TrenchFET® 器件使 MOSFET 导通电压与移动电子设备中使用的数字 IC 的 1.2V～1.3V 工作电压保持一致，从而可实现更安全、更可靠的设计。作为首批可直接从 1.2V 总线驱动的功率 MOSFET，这些新型 TrenchFET 还提供了额外潜在优势，通过它们，在内核电压低于 1.8V 的电池供电系统中无需额外的转换。

在额定电压最低为 1.5V 的 MOSFET 中，在更低的未指定栅源电压（例如 1.2V）时导通电阻一般会按指数级增加。通过比较，这些新型 1.2V TrenchFET 在 1.2V 栅极驱动时提供了确保的低至 0.041Ω 的 n 通道导通电阻以及低至 0.095Ω 的 p 通道导通电阻。1.5V 栅极驱动的导通电阻性能高于最低栅源电压规格为 1.5V 的器件中的导通电阻性能：低至 0.022（n 通道）和 0.058（p 通道）。

日前推出的这些器件（以及它们的封装类型）为 n 通道 SiA414DJ(PowerPAK® SC-70)、Si8424DB(MICRO FOOT®) 及 SiB414DK(PowerPAK SC75)，以及 p 通道 SiA417DJ(PowerPAK SC-70)、Si8429DB(MICRO FOOT) 及 SiB417DK (PowerPAK SC-75)。先前推出的采用 SC-70 封装的 p 通道 Si1499DH完善了 Vishay 的 1.2V 功率 MOSFET 产品系列。

主要规格

对于所有器件，V_DS = ±8 V. 所有器件均为单通道。

这些新型器件的一般应用包括手机、PDA、MP3 播放器、数码相机及其他便携式系统中的负载、功率放大器及电池充电器开关。除凭借低导通电阻节省电池电量外，这些新型器件还可凭借 1.5mm×1.5mm 的小型封装尺寸节省空间。

目前，所有七款 1.2V 器件的样品及量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为 8～10 周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在 NYSE (VSH) 上市的“财富 1,000 强企业”，是世界上分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电子产品及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一。这些元件几乎用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。其产品创新、成功的收购战略以及提供“一站式”服务的能力已使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，可以访问 Internet 网站 http://www.vishay.com。

TrenchFET、PowerPAK 及 MICRO FOOT 为 Siliconix Incorporated 的注册商标。