Malvern, Pennsylvania (USA) – 10. Oktober 2007. Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert eine neue Familie von p-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die unter allen Typen am Markt den niedrigsten On-Widerstand pro Flächeneinheit bieten.

Die neuen MOSFETs von Vishay Siliconix basieren auf einer neuen Generation der TrenchFET®-Siliziumtechnologie und bieten einen maximalen On-Widerstand von nur 29 Milliohm (PowerPAK®-SC-70-Gehäuse, 2,05 mm x 2,05 mm) bzw. 80 Milliohm (Standard SC-70-Gehäuse 2,0 mm x 2,1 mm) bzw. 130 Milliohm (SC-89-Gehäuse, 1,6 mm x 1,6 mm).

Im Vergleich zu den nächstbesten Leistungs-MOSFETs am Markt bedeutet dies eine Verbesserung um bis zu 63 %.

Die neuen p-Kanal-TrenchFETs eignen sich zur Verwendung als Last-, PA- und Batterieschalter in tragbaren Endprodukten wie Mobiltelefone, MP3-Player, PDAs, Digitalkameras und ähnlichen Anwendungen, in denen der geringere Leistungsverlust zu einer längeren Batterielaufzeit beiträgt und das kleinere Gehäuse wertvollen Platz auf der Leiterplatte spart und dadurch die Implementierung zusätzlicher Funktionen ermöglicht.

Bei tragbaren elektronischen Systemen werden p-Kanal-MOSFETs dazu verwendet, einzelne Baugruppen, die gerade nicht benutzt werden – beispielsweise Display oder Leistungsverstärker – abzuschalten, oder das gesamte System vom aktiven Modus in den Sleep-Modus zu versetzen. Dadurch verlängert sich die Akku-Laufzeit. Die neuen Bauteile von Vishay Siliconix erledigen diese Schaltaufgaben dank ihres extrem geringen On-Widerstands mit geringerer Verlustleistung als bisher verfügbare Leistungs-MOSFETs.

Die neuen p-Kanal-TrenchFET-Familie umfasst Typen mit Sperrspannungen von –12 V, –20 V und –30 V. Die Bauteile sind im 6-poligen SC-89-Gehäuse, im Standard-SC-70-Gehäuse und im PowerPAK®-SC-70-Gehäuse erhältlich. Alle Versionen sind bleifrei und entsprechen den aktuellen Umweltschutzstandards.

Die wichtigsten Spezifikationen

Typen-bezeich-nung*	VDS(V)	VGS(V)	RDS(on)@ VGS =				Gehäuse
			−10 V (Ω)	−4,5 V (Ω)	−2,5 V (Ω)	−1,8 V (Ω)
Si1065X	-12	±8		0,130	0,158	0,205	SC-89
Si1067X	-20	±8		0,150	0,166	0,214	SC-89
Si1069X	-20	±12		0,184	0,258		SC-89
Si1071X	-30	±12	0,167	0,188	0,244		SC-89
Si1073X	-30	±20	0,173	0,243			SC-89
Si1469DH	-20	±12	0,080	0,100	0,155		SC-70
Si1471DH	-30	±12	0,100	0,120	0,175		SC-70
Si1473DH	-30	±20	0,100	0,145			SC-70
SiA413DJ	-12	±8		0,029	0,034	0,044	PowerPAK SC-70
SiA421DJ	-30	±20	0,035	0,056			PowerPAK SC-70

* Bei Bestellung bitte Suffix T1-E3 hinzufügen.

Vishay Siliconix hat als erster Hersteller Leistungs-MOSFETs mit TrenchFET-Technologie auf den Markt gebracht. Mit den neuen Typen erweitert das Unternehmen sein großes Angebot an n-Kanal- und p-Kanal-TrenchFETs in diversen Gehäusebauformen.

Die neuen p-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFETs sind ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt 12 bis 14 Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, MOSFETs und Infrarot-Optoelektronik-Bauteile) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Bauelemente von Vishay werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Consumer-Produkte, Telekommunikation, Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik, Stromversorgungen und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Dadurch wurde Vishay zu einem der weltweit führenden Unternehmen der Branche. Im Internet finden Sie Vishay unter http://www.vishay.com.

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TrenchFET und PowerPAK sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.