宾夕法尼亚、MALVERN — 2007 年 10 月 10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出新系列 P 通道 MOSFET，这些器件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。

基于新一代 TrenchFET® 芯片技术的新型 Vishay Siliconix 器件采用 PowerPAK® SC-70 封装（2.05 mm×2.05 mm）时最大导通电阻额定值为 29 毫欧，采用标准 SC-70 封装（2.0 mm×2.1 mm）时为 80 毫欧，采用 SC-89 封装（1.6 mm×1.6 mm）时为 130 毫欧。

与市场上仅次之的 MOSFET 相比，这些新型 Vishay Siliconix 器件的规格表现了高达 63% 的改进。

这些新型 P 通道 TrenchFET 将用于手机、MP3 播放器、PDA 及数码相机等便携式终端产品中的负载开关、PA 开关及电池开关，在这些应用中，它们的低传导损失将有助于延长电池的运行时间，它们的微型封装将节省宝贵的板面空间，从而实现更多功能。

在便携式电子系统中，通过在显示器或功率放大器等功能不用时关闭它们，或将系统从活动模式切换到睡眠模式，P 通道 MOSFET 执行基本功能，从而节省电池使用时间。执行这些切换任务时，这些新型 Vishay Siliconix 器件的功耗低于市场上的先前任何 P 通道功率 MOSFET，因为它们超低的导通电阻额定值会直接体现成更低的导电损失。

日前推出的 P 通道 TrenchFET 包括具有 -12V、-20V 及 -30V 击穿电压额定值的单通道器件。这些器件采用 6 引脚 SC-89、标准 SC-70 及 PowerPAK® SC-70 封装，所有封装均无铅 (Pb)，符合当今的环保要求。

器件规格表

部件编号*	VDS (V)	VGS (V)	RDS(on) @ VGS =				封装类型
			−10 V (Ω)	−4.5 V (Ω)	−2.5 V (Ω)	−1.8 V (Ω)
Si1065X	-12	±8		0.130	0.158	0.205	SC-89
Si1067X	-20	±8		0.150	0.166	0.214	SC-89
Si1069X	-20	±12		0.184	0.258		SC-89
Si1071X	-30	±12	0.167	0.188	0.244		SC-89
Si1073X	-30	±20	0.173	0.243			SC-89
Si1469DH	-20	±12	0.080	0.100	0.155		SC-70
Si1471DH	-30	±12	0.100	0.120	0.175		SC-70
Si1473DH	-30	±20	0.100	0.145			SC-70
SiA413DJ	-12	±8		0.029	0.034	0.044	PowerPAK SC-70
SiA421DJ	-30	±20	0.035	0.056			PowerPAK SC-70

*将后缀 T1-E3 添加到订单

Vishay Siliconix 是首家推出 TrenchFET 技术的供应商。凭借这些新型器件，该公司扩展了包含采用众多封装类型的 N 通道及 P 通道 TrenchFET。

目前，这些新型 P 通道 TrenchFET 功率 MOSFET 的样品和量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为 12～14 周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器和电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购，以及“一站式”服务，Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 http://www.vishay.com.

###

TrenchFET 及 PowerPAK 为 Siliconix Incorporated 的注册商标