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Vishays neue TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs für OR-Verknüpfung bieten On-Widerstände bis hinab zu 1,5 Milliohm – ein neuer Rekord für SO-8-Gehäuse – bei 20 V maximaler Drain-Source- und Gate-Source-Spannung


Power MOSFET

Products mentioned:

Si4398DY
Si7866ADP
SiE808DF
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Malvern, Pennsylvania (USA) – 7. November 2007. Vishay Intertechnology, Inc. (VSH) präsentiert drei neue Leistungs-MOSFETs, die zur OR-Verknüpfung von Betriebsspannungen vorgesehen sind, klassenbeste On-Widerstandswerte bieten und in drei verschiedenen Gehäusebauformen erhältlich sind. Die neuen Bauteile ermöglichen es, den Wirkungsgrad von Stromversorgungen für Telekom-Festnetze zu steigern.

In unternehmensweiten Servernetzen dient die OR-Verknüpfung dazu, bei einem Ausfall der Hauptstromversorgung auf die redundante Stromversorgung umzuschalten, um eine ununterbrochene Betriebsspannungsversorgung des Systems zu gewährleisten. Da der gesamte Ausgangsstrom der jeweils aktiven Stromversorgung über den zugehörigen MOSFET läuft, kann man durch Reduktion der Leistungsverluste in dem MOSFET die Energiekosten signifikant verringern.

Die drei neuen n-Kanal-MOSFETs sind für maximal 20 V Drain-Source- und Gate-Source-Spannung ausgelegt und haben einen On-Widerstand von nur 1,6 Milliohm (SO-8-Gehäuse). Im Vergleich zu den nächstbesten Konkurrenzprodukten am Markt ist der On-Widerstand dieser Leistungs-MOSFETs von Vishay Siliconix um bis zu 36% geringer; Spannungsspezifikationen und Gehäusebauformen sind gleich.

Entwickler können unter den drei neuen TrenchFET®-Gen-II-MOSFETs denjenigen Typ auswählen, der den spezifischen Schaltungs- und Temperaturanforderungen ihrer Anwendung am besten entspricht.

Der neueSi4398DYbietet einen rDS(on))-Wert von nur 2,8 Milliohm bei 10 V; dieser Wert liegt 36% unter dem aller anderen vergleichbaren Leistungs-MOSFETs im Standard-SO-8-Gehäuse. DerSi4398DYeignet sich nicht nur zur OR-Verknüpfung, sondern auch zur Verwendung als Kleinleistungs-Synchrongleichrichter in DC/DC- und Point-of-load-Spannungswandlern.

Für Niederspannungsstromversorgungen bietet derSi4398DYdie besten rDS(on)-Spezifikationen unter allen verfügbaren Leistungs-MOSFETs im SO-8-Gehäuse. In Anwendungen, die höhere Leistungen erfordern, können Leistungs-MOSFETs in thermisch optimierten Gehäusen bei gegebenem Footprint größere Ströme liefern; dadurch ist es möglich, die Anzahl der benötigten MOSFETs zu reduzieren. Dies erlaubt eine Erhöhung der Leistungsdichte bei einer 12-V-Versorgungsschienen-Topologie in redundanten AC- oder DC-Schaltstromversorgungen.

Für optische Wärmeableitung in lüfterlosen Anwendungen bietet Vishay denSi7866ADPim thermisch optimierten PowerPAK®-SO-8-Gehäuse an. Mit einem maximalen On-Widerstand von nur 2,4 Milliohm bei 10 V kombiniert derSi7866ADPniedrige Leistungsverluste mit hervorragenden thermischen Eigenschaften. Der typische maximale Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse beträgt 1,5ºC/W, im Vergleich zu 16ºC/W Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Anschlüssen beim Standard-SO-8-Gehäuse. Dieser MOSFET eignet sich nicht nur zur OR-Verknüpfung, sondern auch für Anwendungen wie z. B. Synchron-Abwärtsregler in Desktop-Computern und Synchrongleichrichter mit niedriger Ausgangsspannung.

Für Anwendungen mit Zwangskühlung bietet der kürzlich vorgestellteSiE808DFim PolarPAK®-Gehäuse mit zwei Wärmeableitpfaden auf der Ober- und Unterseite des Bauteils einen um 20% geringeren On-Widerstand als das nächstbeste Konkurrenzprodukt mit doppelseitiger Kühlung. Sein maximaler rDS(on)-Wert ist mit nur 1,5 Milliohm bei 10 V außergewöhnlich niedrig.

Die neuen Leistungs-MOSFETsSi4398DY,Si7866ADPundSiE808DFsind ab sofort lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt 12 bis 14 Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, MOSFETs und Infrarot-Optoelektronik-Bauteile) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Bauelemente von Vishay werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Consumer-Produkte, Telekommunikation, Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik, Stromversorgungen und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Dadurch wurde Vishay zu einem der weltweit führenden Unternehmen der Branche. Im Internet finden Sie Vishay unter http://www.vishay.com.

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TrenchFET, PowerPAK und PolarPAK sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.

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