ビシェイ社のSkyFET™パワーMOSFET／ショットキーダイオード DC/DCコンバータの効率を6％改善

ペンシルバニア州マルバーン市、2007年12月12日： ビシェイ・インターテクノロジー社（NYSE: VSH）は本日、シングルチップ化されたパワーMOSFET／ショットキーダイオードを発表した。従来の同様なモノリシックデバイスを使った回路に比べ、DC/DCコンバータの効率を最大で6％改善することができる。

ビシェイ・シリコニクス社の新デバイス、Si4642DYビシェイ・シリコニクス社の新デバイス、Si4642DY SkyFET™について、同じコントローラICと同じハイサイドのMOSFETを使い、競合するシングルチップ化されたMOSFET／ショットキーダイオードや業界標準のディスクリートMOSFETとショットキーダイオードの組み合わせとの比較試験を行った結果、SkyFETデバイスを使った回路では軽負荷でも重負荷でも従来のデバイスより高い効率が得られた。たとえば300 kHz、6Aの条件では91%を超える効率が得られたが、この高効率は、 Si4642DYに内蔵されたショットキーダイオードの順方向電圧と逆回復電荷が共に低いこと、また両デバイスのシングルチップ化により基板上の寄生インダクタンスが小さくなったことによる。

Si4642DYSi4642DY SkyFETパワーMOSFETは同期バックコンバータのローサイドMOSFETとして使われ、その主な用途はノートPCのコア電圧や電圧レギュレータモジュール（VRM）、コンピュータやサーバのグラフィックカード、ポイントオブロード電源、同期整流など。新デバイスは、ダイオードのブレークダウン電圧30Vと、MOSFETのON抵抗3.75mΩ（ゲート電圧10V）を組み合わせている。

MOSFETとショットキーダイオードを組み合わせたシングルチップ化は基板上のスペースを節約するだけでなく、個別のデバイスを組み合わせたり、単に2つのデバイスを1パッケージに組み込んだりした場合と比べて、以下に示す3つの面でデバイス自体の性能も向上する。

まず、ショットキーダイオードの順方向電圧（V_F）はMOSFET自体のボディダイオードによる順方向電圧よりも大幅に低い。これにより、バックコンバータのデッドタイム期間、すなわちMOSFETの遮断時の電力損失が大幅に小さくなる。

次の改善点は、MOSFET自体のボディダイオード特性による逆回復電荷（Q_RR）に比較して、ショットキーダイオードのQ_RRが小さいことによる。ビシェイ・シリコニクスのSkyFET技術により、デバイスのQ_RRが標準的なMOSFETのボディダイオードの場合より20％近く小さくなり、これにより軽負荷時のコンバータの効率が改善される。

最後に、MOSFETのシリコンチップ中にショットキーダイオードを組み込むことにより、個別部品として基板上に取り付けた場合やMOSFETとショットキーダイオードを別々のデバイスとして1つのパッケージに組み込んだ場合には避けられない寄生インダクタンスが発生しない。その結果、Si4642DYではより高い効率と滑らかな波形が得られ、また4.5VでのON抵抗も同等の1パッケージ化したMOSFET／ショットキーデバイスに比べて55%も低くなる。

Si4642DYのサンプルと製品は現在入手可能で、量産出荷の納期は8～10週間。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。

SkyFETはシリコニクス社（Siliconix incorporated）の商標です。