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비쉐이의 모노리식 SkyFET™ 파워 MOSFET 및 쇼트키 다이오드, DC/DC 컨버터 효율 6%향상2007년 12월 12일 펜실베니아, 맬번 - 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc., NYSE: VSH)는 오늘 싱글칩 파워 MOSFET 및 쇼트키(Schottky) 다이오드 디바이스를 출시했다. 이 제품은 DC/DC 변환 애플리케이션에서 기존의 모노리식(Monolithic) 디바이스 등을 이용한 회로와 비교해 최대 6%까지 동작 효율을 향상시켰다. 새로 출시된 비쉐이 실리코닉스(Vishay Siliconix)Si4642DYSkyFET™ 디바이스는 경쟁 제품인 싱글칩 MOSFET/쇼트키 디바이스뿐만 아니라 동일한 컨트롤러 IC 및 하이사이드 MOSFET를 사용한 업계 표준 디스크리트 MOSFET 및 쇼트키 다이오드 통합 제품과도 비교 테스트 되었다. SkyFET을 이용한 회로는 부하 상태(load condition)가 가볍거나 무거움에 상관없이 높은 효율을 제공하는 것이 특징이다. 그 예로, 300kHz 및 6A에서 효율이 91%보다 높은 것으로 나타났다. 이러한 특징들은Si4642DY의 통합 쇼트키 다이오드의 낮은 순방향 전압 드롭 및 역 복구 충전을 비롯해 두 디바이스의 단일 칩 통합을 통한 PCB 인덕턴스 기생 감소에 힘입은 것이다. 새로운 Si4642DYSkyFET 파워 MOSFET은 일반적으로 노트북 코어 전압 및 VRM 애플리케이션용 동기식 벅 컨버터를 비롯해 그래픽 카드, POL(point-of-load) 전력 변환, 컴퓨터 및 서버에서의 동기식 정류에서 로우사이드 파워 MOSFET으로 이용된다. 새로운 디바이스는 10V 게이트 드라이브에서 30V 파괴(breakdown)전압과 3.75mΩ의 MOSFET 온저항(on-resistance)을 결합했다. MOSFET과 쇼트키 다이오드를 싱글칩에 집적하는 것은 보드의 공간을 절약할 뿐만 아니라 별도의 또는 코패키지(copackaged) 부품과 비교해 크게 3가지 면에서 디바이스의 성능을 향상 시킨다. 첫째, 쇼트키 다이오드에서 순방향 전압 드롭(VF)이 MOSFET의 내부 바디 다이오드의 전압 드롭보다 매우 낮아 벅 컨버터 애플리케이션에서 부동 시간(dead time) 중 MOSFET가 턴오프가 되어있을 때 전력 손실이 대체적으로 낮다. 둘째, 쇼트키 다이오드의 역 복구 충전(QRR)은 MOSFET의 바디 다이오드의 QRR과 비교해 낮은 특성을 지닌다. 비쉐이 실리코닉스(Vishay Siliconix)의 SkyFET 기술은 표준 MOSFET 바디 다이오드에서 디바이스의 QRR을 거의 20%나 줄여 경부하에서 컨버터의 효율을 향상시켰다. 마지막으로 MOSFET 실리콘 칩에 쇼트키를 집적하면 이 둘이 PCB에 개별 부품으로 탑재되거나 별도의 MOSFET 및 쇼트키 다이오드 부품이 코패키로 제공될 때 나타나는 플라스틱 인덕턴스를 제거시킨다. 그 결과Si4642DY는 효율이 높아지며, 매끄러운 파형을 지닐 뿐만 아니라 4.5V 에서 비슷한 코패키지 MOSFET/쇼트키 디바이스와 비교해 55%나 낮은 온저항(on-resistance)을 제공한다. 새로운Si4642DY의 샘플 및 양산용 제품은 지금 구매 가능하며, 대량 주문 시 납기까지 약 8 ~ 10주 정도가 소요된다. 포춘지 선정 1000대 기업에 속하며, 나스닥 시장에서 VSH로 거래되고 있는 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)는 업계 최대 규모의 디스크리트 반도체(다이오드, 정류기, 트랜지스터, 광전자, 선택형 IC) 및 수동 전자 부품(레지스터, 커패시터, 인덕터, 센서, 트랜스듀서) 전문 개발업체이다. 이들 부품은 실질적으로 산업, 컴퓨팅, 자동차, 컨수머, 텔레콤, 군사, 항공 및 의료 분야에서 모든 전자 디바이스 및 기기에 사용되고 있다. 비쉐이가 전세계 산업을 이끄는 선도적인 업체가 될 수 있었던 것은 제품의 혁신과 성공적인 인수 전략 및 ‘원스톱 샵’ 서비스를 제공하고자 하는 기업 이념이 뒷받침 되었기 때문이다. 회사에 관한 자세한 정보는 웹사이트를 참조하시기 바랍니다. www.vishay.com ###
SkyFET는 Siliconix incorporated의 등록상표이다. | ![]() | ||||
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