Vishay 单片 SkyFET™ 功率 MOSFET 与肖特基二极管 可使 DC/DC 转换器的效率提高 6%

宾夕法尼亚、MALVERN — 2007 年 12 月 12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出单片功率 MOSFET 与肖特基二极管器件，与使用任何先前此类单片器件的电路相比，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高 6%。

新型 Vishay Siliconix Si4642DYSkyFET™ 器件已经过测试，可匹敌竞争的单片 MOSFET/肖特基器件，以及使用相同控制器 IC 及高端 MOSFET 的业界标准分立 MOSFET 与肖特基二极管组合。无论在轻负载还是在重负载情况下，使用 SkyFET 器件的电路在运行时均具有更高效率。例如，在 300kHz、6A 时，效率超过 91%。这些优势是通过以下特性实现的：Si4642DY整合肖特基二极管的低正向压降与反向恢复电荷，以及通过将两器件整合到单个芯片中实现的更低 PCB 寄生电感。

新型 Si4642DYSkyFET 功率 MOSFET 一般将在面向笔记本电脑内核电压与 VRM 应用的同步降压转换器、显卡、负载点功率转换及计算机与服务器中的同步整流中用作低端功率 MOSFET。该新型器件将 30V 击穿电压与 10V 栅极驱动时 3.75 毫欧的 MOSFET 导通电阻进行了完美结合。

与使用单独元件或共同封装的元件相比，将肖特基二极管与 MOSFET 整合到单个芯片上不仅节省了板面空间，而且还通过三个主要方式提高了器件性能。

首先，肖特基二极管中的正向压降 (V_F) 远低于 MOSFET 的内在体二极管中的压降。当在降压转换器应用中的停滞时间关闭 MOSFET 时，这将实现极低的功耗。

第二个改进是肖特基二极管的反向恢复电荷 (Q_RR) 比 MOSFET 体二极管的 Q_RR更低。与标准 MOSFET 体二极管相比，Vishay Siliconix SkyFET 技术可使器件中的 Q_RR降低几乎 20%，这可在轻负载下提高转换器的效率。

最后，将肖特基二极管整合到 MOSFET 芯片中可消除在将它们作为单独元件安装到 PCB 或共同封装单独 MOSFET 及肖特基二极管元件时存在的寄生电感。与共同封装的等同 MOSFET/肖特基器件相比，Si4642DY可实现更高的效率、更稳定的波长，以及在 4.5V 时低 55% 的导通电阻。

目前，Si4642DY控制器的样品和量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 8～10 周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在 NYSE (VSH) 上市的“财富 1,000 强企业”，是世界上分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电子产品及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一。这些元件几乎用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。其产品创新、成功的收购战略以及提供“一站式”服务的能力已使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，可以访问 Internet 网站 http://www.vishay.com。

SkyFET 为 Siliconix incorporated 的商标