ビシェイ社、第五世代の高性能ショットキーダイオードファミリーをリリース 100V定格で最大ジャンクション温度175℃の高温用デバイス

8種のデバイスはいずれも非常に低い順方向電圧（標準：0.55V@8A、0.61V@30A）、 極めて小さい逆リーク電流（標準：1～5.5mA@+125℃）、電力密度30％向上を実現

ペンシルバニア州マルバーン市、2008年1月 30日 ： ビシェイ・インターテクノロジー社（NYSE: VSH）は本日、第五世代となる高性能ショットキーダイオードの新シリコンプラットフォームを8種リリースした。これらは高温用のデバイスで、順方向電圧が低く、逆リーク電流が小さく、最大ジャンクション温度が高い。

サブミクロントレンチ技術を応用した新ショットキーダイオードファミリーの最大ジャンクション温度は+175℃で、自動車用やその他の高温用途に適している。このデバイスは同じ定格電力で低コスト化が図れるRoHS適合の小型パッケージで提供され、また経済性を追求した限界設計を可能にする逆バイアス安全動作領域（RBSOA）が得られる。ブレークダウン電圧が高く安定しているため（115V以上）スパイク電圧に対する許容度が高く、またダイオードの電力密度も1世代前の製品に比べ30％向上している。このように性能は向上しながら、価格はGen 3.1やGen 2.0の各プレーナデバイスに比べ最大で10％低くなっている。

新デバイスはAC/DC変換、2次整流、フライバック、バックコンバータ、ブーストコンバータ、ハーフブリッジ、電池の逆電圧保護、フリーホイール・ダイオード、D級アンプ、DC/DCモジュールなどの用途に適している。代表的な最終製品としては、高電力密度のスイッチング電源、デスクトップPC用電源アダプタ、サーバ、自動車の駆動／制御系、通信ネットワーク、PDPやLCD、高効率オーディオシステム等の民生用電子機器、ノートPCや携帯電話、携帯型メディアプレーヤ等の移動体機器等がある。

新デバイスは順方向電圧が特に低く（標準：0.55V@8A～0.61V@30A）、逆リーク電流が極めて小さく（標準：1～5.5mA @+125℃）、パラメータのばらつきが非常に小さい。またアバランシェ破壊に対する100％のスクリーニングで逆アバランシェ耐性が向上しており、スイッチング損失も無視できるほど小さい。

デバイスの仕様表

新しい第五世代ショットキーダイオードのサンプルおよび製品は現在入手可能で、また量産出荷の場合の納期は8～10週間となっている。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。