ペンシルバニア州マルバーン市、2008年3月 14日： ビシェイ・インターテクノロジー社（NYSE: VSH）は本日、業界標準のInt-A-Pakパッケージによるハーフブリッジ回路用絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の新シリーズを発表しました。このシリーズに含まれる600Vと1200Vの計8種類のデバイスは、各種技術の利用で、標準的なスイッチング速度と超高速のハードスイッチング動作周波数を提供します。

本日リリースされた8品種には、様々な用途に適した3種類のIGBT技術が使われており、GA100TS60SFPbFとGA200HS60S1PbFには標準のパンチスルー（PT）IGBT技術、GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF、GA100TS120UPbFの3品種にはパラメータのばらつきを抑え高効率を得るため第四世代の技術が使われています。またGB100TS60NPbF、GB150TS60NPbF、GB200TS60NPbFの各モジュールには第五世代のノンパンチスルー（NPT）技術が使われ、10μsでの高速短絡機能が追加されています。

GA100TS60SFPbFとGA200HS60S1PbFは標準スイッチング速度のデバイスで、最大1 kHzまでのハードスイッチング動作に最適です。それ以外の6種のIGBTはブリッジ構成用のHEXFRED® 超ソフトリカバリー、アンチパラレルダイオードを内蔵した超高速モジュールで、ハードスイッチングの場合は8kHz～60kHzの動作周波数で、またレゾナントモードでは200kHz以上で動作します。

大電流75A～200Aと低い電力損失を特長とするビシェイ社の新IGBTシリーズは絶縁形／非絶縁形コンバータ、スイッチ、インバータ、高周波溶接のチョッパー、UPS、SMPS、太陽電池インバータ、モーター駆動等の用途に最適です。インバータ出力TIGウェルダーにも使えるよう、これらのIGBTは「S」シリーズモジュール用として業界最小の定格時V_ce(on)を実現しています。

新IGBTは鉛フリーで、またヒートシンクへの直付けが可能です。スナバ電圧が低いためEMIレベルが低く、またジャンクション・ケース間の温度抵抗も非常に低くなっています。

デバイス仕様表：

型名	スピード	技術	電圧	IC	VCE(ON) typ.
GA100TS60SFPbF	標準	第四世代PT	600 V	100 A	1.39 V
GA200HS60S1PbF	標準	第四世代PT	600 V	200 A	1.13 V
GA200TS60UPbF	超高速	第四世代PT	600 V	200 A	1.74 V
GA75TS120UPbF	超高速	第四世代PT	1200 V	75 A	2.5 V
GA100TS120UPbF	超高速	第四世代PT	1200 V	100 A	2.25 V
GB100TS60NPbF	超高速	第五世代NPT	600 V	100 A	2.6 V
GB150TS60NPbF	超高速	第五世代NPT	600 V	150 A	2.64 V
GB200TS60NPbF	超高速	第五世代NPT	600 V	200 A	2.6 V

新IGBTモジュールのサンプルおよび製品は現在入手可能で、大量注文時の納期は8週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。

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HEXFREDはビシェイ・インターテクノロジー社（Vishay Intertechnology, Inc.）の登録商標です。