ビシェイ・シリコニクス社、TrenchFET® Gen IIIファミリーで初めて オン抵抗2.25mΩ（ゲート電圧4.5V）を実現したTrenchFET 30VパワーMOSFETをリリース

オン抵抗とゲート電荷の積による性能指数（FOM）も 業界最小の98ミリクーロン・ナノセカンド

ペンシルバニア州マルバーン市、2008年3月26日： ビシェイ・インターテクノロジー社（NYSE: VSH）は本日、オン抵抗及びオン抵抗と電荷の積による性能指数でいずれも過去最小値を達成した製品を、新しい第三世代TrenchFET® パワーMOSFETファミリーから発表しました。

このTrenchFET Gen III Si7192DPは最大オン抵抗が2.25mΩ（ゲートドライブ電圧4.5V時）のPowerPAK® SO-8パッケージによるNチャネルデバイスです。DC/DCコンバータ用MOSFETの重要な性能指数（FOM）であるオン抵抗とゲート電荷の積は98ミリクーロン・ナノセカンドで、これはV_DS = 30V, V_GS = 20VのSO-8パッケージデバイスで業界最小の値です。伝導損とスイッチング損失を共に最小化した同種の他社デバイスと比較しても大きな性能向上で、競合する市販品中で最高の性能を実現しました。オン抵抗とゲート電荷が小さくなると、伝導損とスイッチング損失の低減が可能になります。

ビシェイ・シリコニクス社のSi7192DPは同期バックコンバータの下側MOSFETとして使われるほか、二次側の同期整流やOR回路にも使われます。低い伝導損とスイッチング損失により電力効率の高い省スペース設計が可能になり、電圧レギュレータモジュール（VRM）やサーバー、ポイントオブロード（POL）電力変換を行う各種システムなど、広い範囲に応用できます。

シリコニクス社はトレンチ構造のパワーMOSFETを初めて製品化したメーカーで、同社のTrenchFET関連の知的所有権には1980年代初期の基本技術特許を始めとする数多くの特許が含まれています。このTrenchFET技術が新世代に移行する都度、コンピュータ、通信機器、民生用電子機器その他多くの用途に使われるパワーMOS FETの性能基準が大きく向上してきました。

Si7192DPのサンプルおよび製品は現在入手可能で、大量注文時の納期は10～12週間となっています。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。

TrenchFETおよびPowerPAKはシリコニクス社（Siliconix incorporated）の登録商標です。