비쉐이, 새로운 30V TrenchFET 파워 MOSFET 출시: 4.5V 게이트 드라이브에서 최대 2.25mΩ 온저항의 업계 최고 성능 제공 , 비쉐이 실리코닉스 TrenchFET® Gen III 제품군의 첫 제품

신제품, 업계 최고 수준인 98mΩ Nanocoulombs On-Resistance Times Gate Charge FOM 제공

2008년 3월 26일 펜실베니아 맬번 – 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc., NYSE: VSH)는 새로운 3세대 TrenchFET® 파워 MOSFET 제품군 중 첫 제품을 출시했다고 밝혔다. 이번에 선보인 제품은 전례 없는 우수한 온저항 및 On-resistance times gate charge FOM이 특징이다.

새로운 TrenchFET Gen III Si7192DP는 PowerPAK® SO-8 패키지 형태의 N채널 디바이스로, 4.5V 게이트 드라이브 전압에서 최대 온저항이 2.25mΩ이다. On-resistance times gate charge(DC/DC 컨버터 애플리케이션에서 MOSFET의 핵심 FOM(figure of merit))는 98로, SO-8 풋프린트의 어떠한 V_DS = 30V, V_GS = 20V 디바이스보다 우수한 성능을 제공한다. 각각 저 유도 손실 및 저 스위칭 손실에 대해 최적화가 되어 있는 유사 경쟁 제품과 비교해 이들 제품은 최고의 성능을 제공하는 것이다. 낮은 온저항과 낮은 게이트 차지는 각각 유도 및 스위칭 손실이 더 적다는 것을 의미한다.

Vishay Siliconix Si7192DP는 싱크로너스 벅 컨버터, 2차 싱크로너스 정류 및 OR-ing 애플리케이션에서 로우사이드 MOSFET으로 쓰인다. 유도 및 스위칭 손실이 적기 때문에 이 제품을 이용하면 VRM(voltage regulator module), 서버 및 POL(point-of-load) 전력 변환을 이용하는 다양한 시스템을 위해 전력 및 공간 효율이 높은 설계가 가능하다.

실리코닉스(Siliconix)는 업계 최초로 Trench 파워 MOSFET을 선보인 업체다. 실리코닉스의 TrenchFET IP는 1980년대 초부터 기반 기술 특허를 포함해 다양한 특허를 보유하고 있다. 각 새로운 세대의 TrenchFET 기술은 컴퓨팅, 통신, 가전 및 기타 많은 애플리케이션에서의 파워 MOSFET 성능에 대한 기대치를 높일 수 있는 제품들을 만들어낸다.

Si7192DP의 샘플 및 양산용 제품을 현재 구입할 수 있으며, 대량 주문 시 10 ~ 12주의 리드타임이 소요된다.

포춘지 선정 1000대 기업에 속하며, 나스닥 시장에서 VSH로 거래되고 있는 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)는 업계 최대 규모의 디스크리트 반도체(다이오드, 정류기, 트랜지스터, 광전자, 선택형 IC) 및 수동 전자 부품(레지스터, 커패시터, 인덕터, 센서, 트랜스듀서) 전문 개발업체이다. 이들 부품은 실질적으로 산업, 컴퓨팅, 자동차, 컨수머, 텔레콤, 군사, 항공 및 의료 분야에서 모든 전자 디바이스 및 기기에 사용되고 있다. 비쉐이가 전세계 산업을 이끄는 선도적인 업체가 될 수 있었던 것은 제품의 혁신과 성공적인 인수 전략 및 ‘원스톱 샵’ 서비스를 제공하고자 하는 기업 이념이 뒷받침 되었기 때문이다. 회사에 관한 자세한 정보는 웹사이트를 참조하시기 바랍니다. www.vishay.com

TrenchFET 및 PowerPAK은 Siliconix incorporated의 등록상표이다.