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Company Info:Press Room:2008 Releases:Vishay präsentiert neue 20-V-p-Kanal-TrenchFET®
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Vishay präsentiert neue 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs im MICRO FOOT®-Chipscale-Gehäuse mit einer Bauhöhe von nur 0,59-mm – ein neuer Rekord

Si8441DB bietet eine Grundfläche von nur 1,5 mm x 1 mm und einen für 1,2-V VGSspezifizierten On-Widerstand

Malvern, Pennsylvania (USA) – 9. April 2008. Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert einen neuen 20-V-p-Kanal TrenchFET®-Leistungs-MOSFET in einem MICRO-FOOT®-Chipscale-Gehäuse, der unter allen vergleichbaren Bauteilen am Markt die niedrigste Bauhöhe und den niedrigsten On-Widerstand aufweist. Vishay Intertechnology reagiert damit auf die steigende Nachfrage nach kleineren Bauteilen für tragbare Geräte.

Der neueSi8441DBbietet eine ultra-niedrige Bauhöhe von nur 0,59 mm und eine Grundfläche von nur 1,5 mm x 1 mm. Er ist das erste Bauteil dieser Art, dessen On-Widerstand bei 1,2 V Gate-Source-Spannung spezifiziert ist. Typische Anwendungen für den neuen Leistungs-MOSFET sind Schalter und Batterieschutzschaltungen in tragbaren Geräten wie Mobiltelefone, PDAs, Digitalkameras, MP3-Player und Smart Phones.

DerSi8441DBbietet niedrige On-Widerstände zwischen 0,600 Ω bei 1,2 V VGSund 0,080 bei 4,5-V VGS; die maximal zulässige Gate-Source-Spannung beträgt ±5 V. Der niedrige On-Widerstand bei 1,2 V macht in vielen Fällen eine Pegelumsetzerschaltung überflüssig und spart dadurch Platz.

Weiterhin präsentiert Vishay Intertechnology den 20-V-p-Kanal-Leistungs-MOSFETSi8451DB, ebenfalls im MICRO-FOOT-Gehäuse. DerSi8451DBerlaubt eine maximale Gate-Source-Spannung von 8 V und bietet On-Widerstände zwischen 0,200Ω bei 1,5V und 0,080 bei 4,5V; das sind die besten Werte, die ein Leistungs-MOSFET bei diesen Spannungen jemals erzielt hat.

Elektronische Geräte werden immer kompakter und bieten immer mehr Funktionen; dadurch steht immer weniger Leiterplattenfläche fürs Power Management zur Verfügung. Zudem erwarten die Endbenutzer möglichst lange Akkulaufzeiten. Deshalb benötigen Entwickler MOSFETs mit kleinerem Gehäuse und niedrigerer Leistungsaufnahme – genau das bieten die TypenSi8441DBundSi8451DB.

Die neuen Leistungs-MOSFETs im MICRO-FOOT-Chipscale-Gehäuse sind ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt 10 bis 12 Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, Gleichrichter, Transistoren, optoelektronische Bauteile, ausgewählte IC-Typen) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten, Sensoren und Wandler). Diese Bauelemente werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Konsumgüterelektronik, Kommunikationstechnik, Wehr-, Luft-/Raumfahrttechnik und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Das sind die Gründe dafür, dass Vishay heute eines der weltweit führenden Unternehmen der Bauelementebranche ist. Im Internet finden Sie Vishay unter http://www.vishay.com.

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Si84x1DB
 

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