비쉐이, 0.59mm의 업계 최저 프로파일이 특징인 MICRO FOOT® 칩스케일 패키지의 새로운 20V P채널 TrenchFET® 파워 MOSFET 개발

Si8441DB, 1.5mm x 1mm 풋프린트 면적 및 1.2V VGS에서 정격 온저항 특징 제.

2008년 4월 9일 펜실베니아 맬번 – 휴대용 디바이스에서 갈수록 초소형 부품 사용에 대한 수요가 늘어남에 따라 이를 위해 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc., NYSE: VSH)는 업계 최저 프로파일과 온저항을 자랑하는 MICRO FOOT® 칩스케일 패키지 형태의 새로운 20V p채널 TrenchFET® 파워 MOSFET을 개발했다고 밝혔다.

비쉐이 실리코닉스 Si8441DB는 매우 컴팩트한 0.59mm 프로파일과 1.5mm x 1mm의 풋프린트 면적을 제공한다. 또한 동종 제품 중 처음으로 1.2V에서 정격 온저항을 제공하는 것이 특징이다. 이 제품은 휴대폰, PDA, 디지털 카메라, MP3 플레이어 및 스마트폰과 같은 휴대용 디바이스의 부하 스위칭 및 배터리 보호에 이용된다.

Si8441DB는 1.2V V_GS에서 0.600Ω ~ 4.5V V_GS에서 0.080Ω의 낮은 온저항 범위를 제공하며, 최대 게이트 소스간 전압은 ±5V이다. 1.2V에서공 낮은 온저항은 레벨 시프트 회로에 대한 필요성을 없애주기 때문에 휴대용 전자 설계에서 공간을 대폭 절약할 수 있다.

이와 함께 동일한 MICRO FOOT 패키지 형태의 20V p채널 Si8451DB도 출시되었다. 최대 게이트 소스간 전압이 8V인 Si8451DB는 온저항 값 범위가 1.5V에서 0.200Ω ~ 4.5V에서 0.080Ω이며, 이는 동일 정격 전압을 가지는 디바이스 중 가장 최고의 값을 제공한다.

휴대용 전자제품이 더욱더 컴팩트 해짐과 동시에 기능성은 증가되고 있어 전력 관리 회로를 위한 보드 공간이 더더욱 줄어들고 있는 실정이다. 충전 사이에 배터리 런타임에 대한 고객들의 기대치를 만족시키기 위해 설계자들은 전력소모가 적은 소형 MOSFET 패키지를 요구하고 있다. Si8441DB 및Si8451DB 제품이 바로 이 패키지로 제공된다.

새로운 MICRO FOOT 칩스케일 파워 MOSFET의 샘플 및 양산용 제품을 현재 바로 구입할 수 있으며, 대량 주문 시 10 ~ 12주의 리드타임이 소요된다.

포춘지 선정 1000대 기업에 속하며, 나스닥 시장에서 VSH로 거래되고 있는 비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)는 업계 최대 규모의 디스크리트 반도체(다이오드, 정류기, 트랜지스터, 광전자, 선택형 IC) 및 수동 전자 부품(레지스터, 커패시터, 인덕터, 센서, 트랜스듀서) 전문 개발업체이다. 이들 부품은 실질적으로 산업, 컴퓨팅, 자동차, 컨수머, 텔레콤, 군사, 항공 및 의료 분야에서 모든 전자 디바이스 및 기기에 사용되고 있다. 비쉐이가 전세계 산업을 이끄는 선도적인 업체가 될 수 있었던 것은 제품의 혁신과 성공적인 인수 전략 및 ‘원스톱 샵’ 서비스를 제공하고자 하는 기업 이념이 뒷받침 되었기 때문이다. 회사에 관한 자세한 정보는 웹사이트를 참조하시기 바랍니다. www.vishay.com