Vishay 推出采用具有 0.59mm 业界最薄厚度的 MICRO FOOT® 芯片级封装的新型 20V P 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET

Si8441DB 将 1.5mm×1mm 占位面积与在 1.2V VGS时的导通电阻完美结合

宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年 4 月 9 日 — 日前，为满足对便携式设备中更小元件的需求，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET，该器件采用 MICRO FOOT® 芯片级封装，具有此类器件中业界最薄厚度及最低导通电阻。

Vishay Siliconix Si8441DB具有 0.59mm 的超薄厚度，以及 1.5mm×1mm 的占位面积。这也是在 1.2V 额定电压时提供导通电阻的首款此类器件。该新器件的典型应用将包括手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携式设备中的负载开关及电池保护。

该Si8441DB提供了 1.2V V_GS时 0.600Ω 至 4.5V V_GS时 0.080Ω的导通电阻范围，且具有最高 ±5V 的栅源电压。1.2V 额定电压时的低导通电阻降低了对电平位移电路的需求，从而节约了便携式电子设计中的空间。

日前还推出了采用相同 MICRO FOOT 封装的 20V p 通道 Si8451DB。Si8451DB的最高额定栅源电源为 8V，其导通电阻范围介于 1.5V 时 0.200Ω 至 4.5V 时 0.080Ω，这是迄今为止具有这些额定电压的器件所实现的最佳值。

随着便携式电子设备的体积越来越小，以及它们功能的不断增加，电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对电池充电间隔间的电池运行时间的期望，设计人员需要具有低功耗的更小 MOSFET 封装 — 这恰恰是 Si8441DB及Si8451DB所具有的特点。

目前，这些新型 MICRO FOOT 芯片级功率 MOSFET 的样品与量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10～12 周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在 NYSE (VSH) 上市的“财富 1,000 强企业”，是世界上分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电子产品及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一。这些元件几乎用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。其产品创新、成功的收购战略以及提供“一站式”服务的能力已使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，可以访问 Internet 网站 http://www.vishay.com。